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1. (WO2010013056) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE D'ABSORBEUR DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013056    N° de la demande internationale :    PCT/GB2009/050949
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 31.07.2009
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/032 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF NORTHUMBRIA AT NEWCASTLE [GB/GB]; Ellison Building Ellison Place Newcastle Upon Tyne Tyne and Wear NE1 8ST (GB) (Tous Sauf US).
FORBES, Ian [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : FORBES, Ian; (GB)
Mandataire : JENKINS, Richard, Gavin; Harrison Goddard Foote 106 Micklegate York YO1 6JK (GB)
Données relatives à la priorité :
0814005.5 31.07.2008 GB
Titre (EN) METHOD OF FORMING A SOLAR CELL ABSORBER LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE D'ABSORBEUR DE CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a layer of CuxZny(Gp14)z(Gp16) w where [x/(y+z) lies in the range 0.6 - 1.4], y/(y + z) lies in the range 0.25 - 0.7 and w/(x + y + z) lies in the range 0.8 - 1.2 comprising the steps of : depositing a primary structure on a substrate, the primary structure comprising a first component, a second component and a third component substantially in the stoichiometric ratio x:y:z, the first component comprising Cu, the second component comprising Zn and the third component comprising a Gp14 element where x ~ y + z and x/(y +z) lies in the range 0.6 - 1.4, y/(y + z) lies in the range 0.25 - 0.7; forming a secondary structure by exposing the primary structure to a fourth component comprising a Gp16 element whereby the primary structure reacts with the fourth component to form the secondary structure, the secondary structure comprising the first, second, third and fourth components substantially in the stoichiometric ratio x:y:z:w wherein the primary structure comprises a layer of the first component, a layer of the second component, a layer of the third component and at least a further layer of one selected from amongst the first, second and third components, immediately adjacent layers of the primary structure being of different respective components to one another.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de CuxZny(Gp14)z(Gp16) w où [x/(y+z) est compris entre 0,6 et 1,4], y/(y + z) est compris entre 0,25 et 0,7 et w/(x + y + z) est compris entre 0,8 et 1,2, qui comprend : le dépôt d'une structure principale sur un substrat, celle-ci comprenant un premier, un deuxième et un troisième composant sensiblement dans le rapport stœchiométrique x:y:z, le premier composant comprenant du Cu, le deuxième comprenant du Zn et le troisième comprenant un élément Gp14, où x ~ y + z et x/(y +z) est compris entre 0,6 et 1,4, y/(y + z) est compris entre 0,25 et 0,7; la formation d'une structure secondaire en exposant la structure principale à un quatrième composant comprenant un élément Gp16, la structure principale réagissant avec le quatrième composant pour former la structure secondaire, cette dernière comprenant les premier, deuxième, troisième et quatrième composants, sensiblement dans le rapport stœchiométrique x:y:z:w, la structure principale comprenant une couche du premier composant, une couche du deuxième composant, une couche du troisième composant et au moins une autre couche d'un élément choisi entre le premier, le deuxième et le troisième composant, les couches immédiatement adjacentes de la structure principale étant des composants différents mutuellement respectifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)