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1. (WO2010012556) PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN LASER SEMICONDUCTEUR ET MODULE LASER SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/012556    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/058093
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 29.06.2009
CIB :
H01S 5/062 (2006.01), H01S 5/0687 (2006.01), F02P 23/04 (2006.01), H01S 3/102 (2006.01), H01S 3/131 (2006.01), H01S 5/06 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
HERDEN, Werner [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HERDEN, Werner; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 040 864.6 30.07.2008 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES HALBLEITERLASERS UND HALBLEITERLASERMODUL
(EN) METHOD FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR LASER, AND SEMICONDUCTOR LASER MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN LASER SEMICONDUCTEUR ET MODULE LASER SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterlasers (31), bei dem der Halbleiterlaser (31) in einer ersten Betriebsphase (B1) so mit einem ersten Ansteuerstrom (I1) angesteuert wird, dass er ausgehend von einer Ausgangstemperatur (T0) eine vorgebbare Solltemperatur (Tsoll) annimmt. Erfindungsgemäß wird der Halbleiterlaser (31) in einer zweiten Betriebsphase (B2), die auf die erste Betriebsphase (B1) folgt, so mit einem zweiten Ansteuerstrom (I2) angesteuert, dass der Halbleiterlaser (31) die Solltemperatur (Tsoll) während der zweiten Betriebsphase (B2) im wesentlichen beibehält.
(EN)The invention relates to a method for operating a semiconductor laser (31), in which the semiconductor laser (31) is driven in a first operating phase (B1) with a first drive current (I1) in such a manner that it assumes a predefinable desired temperature (Tsoll) starting from an initial temperature (T0). According to the invention, the semiconductor laser (31) is driven in a second operating phase (B2), which follows the first operating phase (B1), with a second drive current (I2) in such a manner that the semiconductor laser (31) substantially retains the desired temperature (Tsoll) during the second operating phase (B2).
(FR)L'invention concerne un procédé de fonctionnement d'un laser semiconducteur (31) selon lequel, dans une première phase de fonctionnement (B1), le laser semiconducteur (31) est excité par un premier courant d'attaque (I1) de manière à passer d'une température initiale (T0) à une température nominale (Tsoll) prédéfinie. Selon l'invention, dans une deuxième phase de fonctionnement (B2) suivant la première phase de fonctionnement (B1), le laser semiconducteur (31) est excité par un deuxième courant d'attaque (I2) de manière à conserver sensiblement la température nominale (Tsoll) pendant la deuxième phase de fonctionnement (B2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)