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1. (WO2010012266) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE III-V SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE CONTENANT DE L'INDIUM, ET PUCE CORRESPONDANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/012266    N° de la demande internationale :    PCT/DE2009/001023
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 21.07.2009
CIB :
H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
LUTGEN, Stephan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
EICHLER, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHILLGALIES, Marc [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
QUEREN, Désirée [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : LUTGEN, Stephan; (DE).
EICHLER, Christoph; (DE).
SCHILLGALIES, Marc; (DE).
QUEREN, Désirée; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102008035784.7 31.07.2008 DE
Titre (DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN FUR EINEN III-V BASIERTEN INDIUM- HALTIGEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP UND ENTSPRECHENDER CHIP
(EN) PRODUCTION METHOD FOR A III-V BASED OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING INDIUM AND CORRESPONDING CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE III-V SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE CONTENANT DE L'INDIUM, ET PUCE CORRESPONDANTE
Abrégé : front page image
(DE)Vorliegend wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer nicht planaren Aufwachsschicht (2), die mindestens ein erstes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, sowie einer aktiven Zone (5), die mindestens ein zweites Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält und auf der Aufwachsschicht (2) angeordnet ist, und einer Deckschicht (7), die auf der aktiven Zone (5) angeordnet ist, beschrieben, wobei die Aufwachsschicht (2) an einer der aktiven Zone (5) zugewandten Aufwachsoberfläche (3) Strukturelemente (4) aufweist.
(EN)The present invention describes an optoelectronic semiconductor chip (1) having a non-planar growth layer (2), which contains at least one first nitride compound semiconductor material, as well as an active zone (5), which contains at least one second nitride compound semiconductor material and is arranged on the growth layer (2), and a covering layer (7) which is arranged on the active zone (5), wherein the growth layer (2) has structure elements (4) on a growth surface (3) facing the active zone (5).
(FR)La présente invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (1) comportant une couche de croissance (2) non planaire, qui contient au moins un premier matériau semi-conducteur composé de nitrure, une zone active (5) qui contient au moins un deuxième matériau semi-conducteur composé de nitrure et qui est disposée sur la couche de croissance (2), et une couche de couverture (7) disposée sur la zone active (5), la couche de croissance (2) présentant des éléments de structure (4) sur une surface de croissance (3) orientée vers la zone active (5).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)