WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010012184) ANODE CONSOMMABLE À FORT POTENTIEL EN ALLIAGE À BASE DE MAGNÉSIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/012184    N° de la demande internationale :    PCT/CN2009/072564
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
C23F 13/14 (2006.01), C22C 23/00 (2006.01), C22C 1/02 (2006.01)
Déposants : WINCA (HEBI) MAGNESIUM CO., LTD. [CN/CN]; ZHAO, Yanhui 28 Yang Yi Road Hebi, Henan 458000 (CN) (Tous Sauf US).
XU, He [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHAO, Yanhui [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIANG, Guojun [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
FANG, Zhongxue [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
HUANG, Yinshan [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : XU, He; (CN).
ZHAO, Yanhui; (CN).
LIANG, Guojun; (CN).
FANG, Zhongxue; (CN).
HUANG, Yinshan; (CN)
Mandataire : FINEFEILDS ASSOCIATES; YU, Zhenqiang TowerB-3003 Dong Yu Building Shu Guang Xi Li Jia No.1, Chao Yang District Beijing 100028 (CN)
Données relatives à la priorité :
200810140844.0 29.07.2008 CN
Titre (EN) HIGH POTENTIAL MAGNESIUM ALLOY SACRIFICIAL ANODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) ANODE CONSOMMABLE À FORT POTENTIEL EN ALLIAGE À BASE DE MAGNÉSIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 高电位镁合金牺牲阳极及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a high potential Mg alloy sacrificial anode and a manufacturing method thereof, the high potential Mg alloy sacrificial anode has the following chemical composition percent by weight: Zn 0 - 0.4%, Al ≤ 0.01%, Si ≤ 0.02%, Mn ≤ 0.05%, Fe ≤ 0.03%, Ni ≤ 0.003%, Cu ≤ 0.005%, the remainder being Mg, and the open-circuit potential of the high potential Mg alloy sacrificial anode is above -1.80V, the current efficiency is above 60%. The manufacturing method of the high potential Mg alloy sacrificial anode is easy and inexpensive, and the electrical properties of the high potential Mg alloy sacrificial anode are superior to ASTM standard requirements.
(FR)Cette invention concerne une anode consommable à fort potentiel en alliage à base de Mg et son procédé de fabrication. Ladite anode consommable à fort potentiel en alliage à base de Mg présente la composition chimique suivante, en pourcentage pondéral : Zn 0 à 0,4 %, Al ≤ 0,01 %, Si ≤ 0,02 %, Mn ≤ 0,05 %, Fe ≤ 0,03 %, Ni ≤ 0,003 %, Cu ≤ 0,005 %, le reste étant du Mg. Le potentiel à circuit ouvert de l’anode consommable à fort potentiel en alliage à base de Mg est supérieur à -1.80V, son rendement en courant étant supérieur à 60 %. Le procédé de fabrication de l'anode consommable à fort potentiel en alliage à base de Mg est simple et peu coûteux, et les propriétés électriques de l'anode consommable à fort potentiel en alliage à base de Mg sont supérieures aux exigences des normes ASTM.
(ZH)本发明提供一种高电位镁合金牺牲阳极及 其制造方法 ,该 高电位镁合金牺牲阳极的化学成分质量百分比为: Zn 0-0.4% , Al≤0.01% , Si≤0.02% , Mn≤0.05% , Fe≤0.03% , Ni≤0.003% , Cu≤0.005% ,其余为 Mg ,并且该 高电位镁合金牺牲阳极的开路 电位大于 -1.80V ,电流效率大于 60% 。本发明的高电位 镁合金牺牲阳极的制造工艺简便,成本低廉,并且其电学性能优于 ASTM 标准的规定。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)