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1. (WO2010011709) FABRICATION PAR ONDE DE CHOC DE MATÉRIAUX THERMOÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/011709    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/051345
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 22.07.2009
CIB :
H01L 35/34 (2006.01), B22F 3/08 (2006.01), B01J 3/08 (2006.01)
Déposants : TXL GROUP, INC. [US/US]; 2000 Wyoming Avenue El Paso, TX 79903 (US) (Tous Sauf US).
RUBIO, Edward, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
NEMIR, David, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RUBIO, Edward, S.; (US).
NEMIR, David, C.; (US)
Mandataire : SHADDOX, Robert, C.; Winstead PC P.O. Box 50784 Dallas, TX 75201 (US)
Données relatives à la priorité :
12/220,156 22.07.2008 US
Titre (EN) SHOCKWAVE FABRICATION OF THERMOELECTRIC MATERIALS
(FR) FABRICATION PAR ONDE DE CHOC DE MATÉRIAUX THERMOÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The explosive consolidation of semiconductor powders results in thermoelectric materials having reduced thermal conductivity without a concurrent reduction in electrical conductivity and thereby allows the construction of thermoelectric generators having improved conversion efficiencies of heat energy to electrical energy.
(FR)La consolidation explosive de poudres semi-conductrices a pour conséquence que les matériaux thermoélectriques ont une conductivité thermique réduite sans réduction simultanée de la conductivité électrique, ce qui permet donc la construction de générateurs thermoélectriques dont les efficacités de conversion d’énergie thermique en énergie électrique sont améliorées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)