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1. (WO2010011207) DISPOSITIFS LUMINESCENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/011207    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/009077
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 25.07.2008
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US) (Tous Sauf US).
FATTAL, David, A. [FR/US]; (US) (US Seulement).
STEWART, Duncan [CA/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FATTAL, David, A.; (US).
STEWART, Duncan; (US)
Mandataire : COLLINS, David, W.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration P.O. Box 272400 M/S 35 Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DEVICES
(FR) DISPOSITIFS LUMINESCENTS
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of the present invention are directed to semiconductor light-emitting devices that provide energy efficient, high-speed modulation rates in excess of 10 Gbits/sec. These devices include a light-emitting layer embedded between two relatively thicker semiconductor layers. The energy efficient, high-speed modulation rates result from the layers adjacent to the light-emitting layer being composed of semiconductor materials with electronic states that facilitate injection of carriers into the light-emitting layer for light emission when an appropriate light-emitting voltage is applied and facilitate the removal of carriers when an appropriate light-quenching voltage is applied.
(FR)Divers modes de réalisation de la présente invention concernent des dispositifs à semi-conducteurs luminescents qui sont économes en énergie et ont de hautes vitesses de modulation dépassant 10 Go/s. Ces dispositifs possèdent une couche luminescente encastrée entre deux couches semi-conductrices relativement plus épaisses. Les vitesses élevées de modulation et l’économie d’énergie résultent du fait que les couches adjacentes à celle luminescente sont composées de matières semi-conductrices avec des états électroniques qui facilitent l’injection de porteurs dans la couche électroluminescente lorsqu’une tension luminescente appropriée est appliquée, et facilitent l’élimination de ces porteurs lorsqu’une tension appropriée d’extinction de lumière est appliquée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)