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1. (WO2010010956) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE CELLULE SOLAIRE À FILM FIN, ET CELLULE SOLAIRE À FILM FIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010956    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063297
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 24.07.2009
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-3-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
KIKUCHI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUDA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KONDO, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIKUCHI, Masashi; (JP).
MASUDA, Atsushi; (JP).
KONDO, Michio; (JP)
Mandataire : ONDA, Hironori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-192490 25.07.2008 JP
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL, AND THIN FILM SOLAR CELL
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE CELLULE SOLAIRE À FILM FIN, ET CELLULE SOLAIRE À FILM FIN
(JA) 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法、ならびに薄膜太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an apparatus for manufacturing a thin film solar cell wherein uniformity of film characteristics is improved.  In a step of transferring a substrate (S) from one roll (R1) to other roll (R2), a power generating layer (12), i.e., a laminated body of a plurality of semiconductor layers, is formed in a plurality of film forming chambers (23A) partitioned along the transfer direction (D) of the substrate (S) between the pair of rolls (R1, R2).  In each film forming chamber (23A), a plurality of planar application electrodes (32) are arranged to face the substrate (S) along the transfer direction, and high frequency power in the VHF region is supplied to a power feeding end section (36) of each of the planar application electrodes (32).  When the wavelength of the high frequency power is expressed by λ, the distance between an end section of the planar application electrode (32) and the power feeding end section (36) is set shorter than λ/4 in the perpendicular direction to the transfer direction.
(FR)L’invention concerne un appareil de fabrication d’une cellule solaire à film fin dans laquelle les caractéristiques d’uniformité du film sont améliorées. Au cours d’une étape de transfert d’un substrat (S) d’un premier rouleau (R1) vers un second rouleau (R2), une couche génératrice d’électricité (12), c’est-à-dire un corps stratifié comprenant plusieurs couches semi-conductrices, est formée dans une pluralité de chambres de formation de film (23A) séparées le long de la direction de transfert (D) du substrat (S) entre les deux rouleaux (R1, R2). Dans chaque chambre de formation de film (23A), une pluralité d’électrodes d’application planes (32) sont disposées de manière à faire face au substrat (S) le long de la direction de transfert, et un courant haute fréquence dans la plage VHF est envoyé à une section d’extrémité d’alimentation électrique (36) de chacune des électrodes d’application planes (32). Lorsque la longueur d’onde du courant haute fréquence est exprimée par λ, la distance entre une section d’extrémité de l’électrode d’application plane (32) et la section d’extrémité d’alimentation électrique (36) est définie de manière à être inférieure à λ/4 dans la direction perpendiculaire à la direction de transfert.
(JA) 膜特性の均一性を向上させた薄膜太陽電池の製造装置。一方のロール(R1)から他方のロール(R2)に基板(S)を搬送する過程で、そのロール対(R1,R2)の間で基板(S)の搬送方向(D)に沿って区画された複数の成膜室(23A)で複数の半導体層の積層体である発電層(12)を形成する。各成膜室(23A)には複数の平板印加電極(32)が基板(S)と対向して搬送方向に沿って配列されており、各平板印加電極(32)の給電端部(36)にはVHF領域の高周波電力が給電される。高周波電力の波長をλとするとき、平板印加電極(32)の縁部と給電端部(36)との間の距離は、搬送方向に垂直な方向においてλ/4よりも短くなるように設定されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)