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1. (WO2010010851) BASE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MOTIF CONDUCTEUR, ET TRANSISTOR À FILM FIN ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010851    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062963
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 17.07.2009
CIB :
H01L 21/288 (2006.01), C23C 18/18 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01), H05K 3/20 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
HAKII Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAKII Takeshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-190797 24.07.2008 JP
Titre (EN) BASE, METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) BASE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MOTIF CONDUCTEUR, ET TRANSISTOR À FILM FIN ORGANIQUE
(JA) 基材、導電性パターン形成方法、及び有機薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a base having excellent thin-line reproducibility and excellent adhesion to conductive wiring.  A method for forming a conductive pattern using the base and an organic thin film transistor using the base are also disclosed.  The base is characterized by containing a compound represented by general formula (I) and a sensitizing dye.       (R)n-Si(A)3-n-(B)       (I) (In the formula, R represents an alkyl group having 8 or less carbon atoms; A represents an alkoxy group or a halogen atom; B represents a substituent containing an SH group; and n represents an integer of 0-2.)
(FR)L’invention concerne une base possédant une excellente reproductibilité de lignes fines et une excellente adhérence à un câblage conducteur. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un motif conducteur utilisant la base, et un transistor à film fin organique utilisant la base. La base est caractérisée en ce qu’elle comprend un composé correspondant à la formule générale (I) et un colorant sensibilisateur. Dans la formule (R)n-Si(A)3-n-(B) (I), R représente un groupe alkyle comportant 8 atomes de carbone ou moins, A représente un groupe alcoxy ou un atome halogène, B représente un substituant contenant un groupe SH, et n est un nombre entier de 0 à 2.
(JA) 本発明は、細線再現性と導電性配線との密着性に優れる基材を提供し、更には該基材を用いた導電性パターン形成方法、及び該基材を用いた有機薄膜トランジスタを提供することであり、該基材は、下記一般式(I)で表される化合物と増感色素を有することを特徴とする。   一般式(I):(R)-Si(A)3-n-(B) (式中、Rは炭素原子数8以下のアルキル基であり、Aはアルコキシ基またはハロゲン原子を、BはSH基を含む置換基を表し、nは0~2の整数を表す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)