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1. (WO2010010802) TRANSISTOR À FILM FIN ET À CANAL P, ET PROCESSUS DE FABRICATION DU TRANSISTOR À FILM FIN ET À CANAL p
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010802    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062196
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 03.07.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8,Honcho 4-chome,Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
HOSONO Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIYA Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRANO Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OGO Yoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOMURA Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAMATSU Hidenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOSONO Hideo; (JP).
KAMIYA Toshio; (JP).
HIRANO Masahiro; (JP).
OGO Yoichi; (JP).
NOMURA Kenji; (JP).
HIRAMATSU Hidenori; (JP)
Mandataire : NISHI Yoshiyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-191496 24.07.2008 JP
Titre (EN) P-CHANNEL THIN-FILM TRANSISTOR AND PROCESS FOR PRODUCING THE p-CHANNEL THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À FILM FIN ET À CANAL P, ET PROCESSUS DE FABRICATION DU TRANSISTOR À FILM FIN ET À CANAL p
(JA) pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a p-channel thin-film transistor and process for producing the transistor, which can overcome problems in the past such that a CMOS circuit could not have been prepared with an oxide TFT due to the absence of p-type TFT and a simple AM-OLED drive circuit comprising TFT connected directly to an anode could not have been constructed. The p-channel thin-film transistor is characterized in that a thin film of stannous oxide (SnO) having a total content of Sn4+ and Sn0 (tin metal) of less than 10 atom% is deposited on a substrate of a thin-film transistor to form a channel layer.  In a gas phase method, SnO is used as a target, and a film is formed while regulating the degree of oxidation of Sn deposited on the substrate by utilizing the temperature of the substrate and the partial pressure of oxygen in the atmosphere.
(FR)L’invention concerne un transistor à film fin et à canal p, ainsi qu’un processus de fabrication du transistor qui permettent de surmonter les problèmes connus par le passé, comme le fait qu’un circuit CMOS ne pouvait pas être réparé avec un TFT oxyde du fait de l’absence de TFT de type p, ou l’impossibilité de construire un circuit d’actionnement AM-OLED simple comprenant un TFT connecté directement à une anode. Le transistor à film fin et à canal p est caractérisé en ce qu’un film fin d’oxyde stanneux (SnO) ayant une teneur totale en Sn4+ et Sn0 (étain métallique) de moins de 10 % en atomes est déposé sur un substrat d’un transistor à film fin afin de former une couche de canaux. Selon un procédé de phase gazeuse, le SnO est utilisé comme cible, et un film est formé tout en ajustant le degré d’oxydation du Sn déposé sur le substrat en utilisant la température du substrat et la pression partielle d’oxygène dans l’atmosphère.
(JA) p型TFTが存在しないため、これまで、酸化物TFTでは、CMOS回路を作成することができなかった。また、陽極に直接TFTを接続させる単純なAM-OLEDの駆動回路 を構成できなかった。  Sn4+及びSn(錫金属)の含有量が、合計で10原子%未満である酸化第一スズ(SnO)薄膜を薄膜トランジスタの基板上に堆積し、チャネル層としたことを特徴とするpチャネル薄膜トランジスタ。気相法において、SnOをターゲットとして用いて、基板上に堆積するSnの酸化度合いを基板温度及び雰囲気酸素分圧により制御して成膜する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)