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1. (WO2010010791) TRANSISTOR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010791    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061837
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 29.06.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : DIC Corporation [JP/JP]; 35-58, Sakashita 3-chome, Itabashi-ku, Tokyo 1748520 (JP) (Tous Sauf US).
KOTAKE Masayoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASAI Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YONEHARA Hisatomo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKANO Kiyofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOTAKE Masayoshi; (JP).
KASAI Masanori; (JP).
YONEHARA Hisatomo; (JP).
TAKANO Kiyofumi; (JP)
Mandataire : KONO Michihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-188403 22.07.2008 JP
Titre (EN) ORGANIC TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機トランジスタ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an organic transistor using an organic semiconductor and having improved transistor characteristics.  A method for manufacturing the organic transistor is also disclosed.  The organic transistor comprises, on (a) a substrate, (b) a gate electrode, (c) an insulating layer, (d) a channel-forming region formed in an organic semiconductor layer which is in contact with the insulating layer and (e) a source/drain electrode, and is characterized in that the organic semiconductor layer contains a fluorine-containing compound (a surfactant).  The method for manufacturing the organic transistor is characterized by comprising a step of forming the organic semiconductor layer (d) on the insulating layer by printing or coating of an organic semiconductor solution containing the fluorine-containing surfactant, or a step of forming the insulating layer on the organic semiconductor layer (d) containing the fluorine-containing surfactant by printing or coating.
(FR)L’invention concerne un transistor organique qui utilise un semi-conducteur organique et qui possède des capacités de transistor améliorées. L’invention concerne également un procédé de fabrication du transistor organique. Le transistor organique comprend, sur (a) un substrat, (b) une électrode de grille, (c) une couche isolante, (d) une région de définition de canaux formée dans une couche de semi-conducteur organique en contact avec la couche isolante, et (e) une électrode source/drain, et est caractérisé en ce que la couche de semi-conducteur organique comprend un composé contenant du fluor (un tensioactif). Le procédé de fabrication du transistor organique est caractérisé en ce qu’il comprend une étape de formation de la couche de semi-conducteur organique (d) sur la couche isolante en imprimant ou en appliquant une solution de semi-conducteur organique contenant le tensioactif contenant du fluor, ou une étape de formation de la couche isolante sur la couche de semi-conducteur organique (d) contenant le tensioactif contenant du fluor par impression ou par application
(JA) 有機半導体を用いる有機トランジスタにおいて、そのトランジスタ特性をより向上させた有機トランジスタ及びその製造方法を提供する。第一に、(a)基板上に、(b)ゲート電極、(c)絶縁層、(d)該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び(e)ソース/ドレイン電極を有する有機トランジスタであって、該有機半導体層にフッ素系化合物(界面活性剤)を含有することを特徴とする有機トランジスタを提供するものである。第二に、有機トランジスタの製造方法であって、絶縁層上に、フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体溶液の印刷又は塗布により(d)有機半導体層を形成する工程、又は、(d)フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層上に、印刷又は塗布により絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)