WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010010562) DISPOSITIF D’ANTENNE REDRESSEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010562    N° de la demande internationale :    PCT/IL2009/000722
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 23.07.2009
CIB :
H01L 31/0232 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 29/86 (2006.01), H01L 27/28 (2006.01), H01Q 1/24 (2006.01), H01Q 9/28 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : RAMOT AT TEL AVIV UNIVERSITY LTD. [IL/IL]; P.O. Box 39296 61392 Tel-Aviv (IL) (Tous Sauf US).
HANEIN, Yael [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
BOAG, Amir [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
SCHEUER, Jacob [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
FRIEDLER, Inbal [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : HANEIN, Yael; (IL).
BOAG, Amir; (IL).
SCHEUER, Jacob; (IL).
FRIEDLER, Inbal; (IL)
Mandataire : G.E EHRLICH (1995) LTD.; 11 Menachem Begin Street 52521 Ramat Gan (IL)
Données relatives à la priorité :
61/129,878 25.07.2008 US
Titre (EN) RECTIFYING ANTENNA DEVICE WITH NANOSTRUCTURE DIODE
(FR) DISPOSITIF D’ANTENNE REDRESSEUSE
Abrégé : front page image
(EN)A rectifying antenna device is disclosed. The device comprises a pair of electrode structures (14,16), and at least one nanostructure diode (12) contacting at least a first electrode structure of the pair and being at least in proximity to a second electrode structure of the pair. At least one electrode structure of the pair receives AC radiation, and the nanostructure diode (s) (18) at least partially rectifies a current generated by the AC radiation.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d’antenne redresseuse qui comprend une paire de structures d’électrode et au moins une diode à nanostructure mettant en contact au moins une première structure d’électrode de la paire et étant au moins à proximité d’une seconde structure d’électrode de la paire. Au moins une structure d’électrode de la paire reçoit un rayonnement CA et la ou les diodes à nanostructure redressent au moins partiellement un courant généré par le rayonnement CA.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)