WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010010506) LDMOS À PLAQUE DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010506    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/053140
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 20.07.2009
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DE BOET, Johannes, Adrianus, Maria [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
PEUSCHER, Henk, Jan [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
BRON, Paul [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
THEEUWEN, Stephan, Jo, Cecile, Henri [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : DE BOET, Johannes, Adrianus, Maria; (NL).
PEUSCHER, Henk, Jan; (NL).
BRON, Paul; (NL).
THEEUWEN, Stephan, Jo, Cecile, Henri; (NL)
Mandataire : KROTT, Michel, Willy, François, Maria; (NL)
Données relatives à la priorité :
08160869.7 22.07.2008 EP
Titre (EN) LDMOS HAVING A FIELD PLATE
(FR) LDMOS À PLAQUE DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)Laterally diffused metal oxide semiconductor transistor for a radio frequency- power : amplifier comprising a drain finger (25,27) which drain finger is connected to a stack of one or more metal interconnect layers, (123,61,59,125 ) wherein a metal interconnect layer (123) of said stack is connected to a drain region (25) on the substrate, wherein said stack comprises a field plate (123, 125, 121, ) adapted to reduce the maximum magnitude of the electric field between the drain and the substrate and overlying the tip of said drain finger.
(FR)L’invention concerne un transistor semi-conducteur métal-oxyde à diffusion latérale pour un amplificateur de puissance radiofréquence, comprenant un doigt de drain (25, 27) qui est connecté à une pile d’une ou plusieurs couches d’interconnexion métalliques (123,61,59,125), une couche d’interconnexion métallique (123) de ladite pile étant connectée à une région de drain (25) sur le substrat. Ladite pile comprend une plaque de champ (123, 125, 121) qui est conçue pour réduire la magnitude maximale du champ électrique entre le drain et le substrat et qui chevauche la pointe du doigt de drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)