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1. (WO2010010485) DISPOSITIF LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE FENÊTRE ET UNE STRUCTURE DIRIGEANT LA LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/010485    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/053065
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 15.07.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US)
Inventeurs : EPLER, John E.; (US).
NEFF, James G.; (US).
SHCHEKIN, Oleg B.; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; (NL)
Données relatives à la priorité :
12/178,902 24.07.2008 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING A WINDOW LAYER AND A LIGHT-DIRECTING STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE FENÊTRE ET UNE STRUCTURE DIRIGEANT LA LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)A device includes a semiconductor structure comprising a light emitting layer (48) disposed between an n-type region (44, 49) and a p-tyρe region (46). The semiconductor structure is disposed between a window layer (40) and a light-directing structure (44). The light-directing structure is configured to direct light toward the window layer; examples of suitable light- directing structures include a porous semiconductor layer and a photonic crystal. An n-contact (58, 64) is electrically connected to the n-type region and a p-contact (60, 62) is electrically connected to the p- type region. The p-contact is disposed in an opening (54) formed in the semiconductor structure.
(FR)L’invention concerne un dispositif comprenant une structure semi-conductrice composée d’une couche luminescente (48) disposée entre une région de type n (44, 49) et une région de type p (46). Cette structure semi-conductrice est disposée entre une couche fenêtre (40) et une structure dirigeant la lumière (44). Le rôle de cette dernière est de diriger la lumière vers la couche fenêtre. Une structure appropriée dirigeant la lumière peut par exemple être une couche semi-conductrice poreuse et un cristal photonique. Un contact n (58, 64) est connecté électriquement à la région de type n, et un contact p (60, 62) est connecté électriquement à la région de type p. Le contact p est disposé dans une ouverture (54) formée dans la structure semi-conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)