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1. (WO2010009947) CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/009947    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/057825
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 23.06.2009
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : ENDRESS+HAUSER GMBH+CO.KG [DE/DE]; Hauptstrasse 1 79689 Maulburg (DE) (Tous Sauf US).
THAM, Anh, Tuan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NGO, Ha, Duong [VN/DE]; (DE) (US Seulement).
OBERMEIER, Ernst [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : THAM, Anh, Tuan; (DE).
NGO, Ha, Duong; (DE).
OBERMEIER, Ernst; (DE)
Mandataire : ANDRES, Angelika; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 035 017.6 25.07.2008 DE
Titre (DE) HALBLEITERDRUCKSENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR DE PRESSION ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Ein Halbleiterdrucksensor (1) umfasst einen Halbleiterkörper (2), der eine Messmembran (3) aufweist, wobei die Messmembran eine <100>-Ebene aufweist, wobei die Messmembran durch eine Vertiefung in dem Halbleiterkörper gebildet ist, wobei die Vertiefung seitlich durch Begrenzungsflächen (4) begrenzt ist, die zumindest teilweise <111 >- Ebenenen umfassen, wobei der Drucksensor (1) zwischen den Begrenzungsflächen und der <100>-Ebene der Messmembran Übergangsbereiche (5) aufweist, wobei die Übergangsbereiche (5) einen Krümmungsradius von nicht weniger als 1 μm, vorzugsweise nicht weniger als 2 μm und besonders bevorzugt nicht weniger als 4 μm aufweisen.
(EN)The invention relates to a semiconductor pressure sensor (1) comprising a semiconductor body (2), which has a measuring membrane (3), wherein the measuring membrane comprises a plane, wherein the measuring membrane is formed by a depression in the semiconductor body, wherein the depression is bounded on the sides by boundary surfaces (4), which at least partially comprise planes, wherein the pressure sensor (1) has transition areas between the boundary surfaces and the plane of the measuring membrane, wherein the transition areas (5) have a radius of curvature of no less than 1 μm, preferably no less than 2 μm and especially preferred no less than 4 μm.
(FR)L'invention concerne un capteur semi-conducteur de pression (1) comprenant un corps semi-conducteur (2) qui possède une membrane de mesure (3). La membrane de mesure présente un plan . La membrane de mesure est formée par un renfoncement dans le corps semi-conducteur. Le renfoncement est délimité latéralement par des surfaces de délimitation (4) qui comprennent au moins partiellement des plans . Le capteur de pression (1) possède entre les surfaces de délimitation (4) et le plan de la membrane de mesure des zones de transition (5). Les zones de transition (5) présentent un rayon de courbure qui n'est pas inférieur à 1 µm, de préférence pas inférieur à 2 µm et de manière particulièrement préférée pas inférieur à 4 µm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)