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1. (WO2010009873) TRANSISTOR À NANOFILS DE TYPE À EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/009873    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/005317
Date de publication : 28.01.2010 Date de dépôt international : 22.07.2009
CIB :
H01L 29/775 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY COLLEGE CORK, NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK [IE/IE]; Western Road Cork City (IE) (Tous Sauf US).
COLINGE, Jean-Pierre [BE/IE]; (IE) (US Seulement).
AFZALIAN, Aryan [BE/IE]; (IE) (US Seulement)
Inventeurs : COLINGE, Jean-Pierre; (IE).
AFZALIAN, Aryan; (IE)
Mandataire : LUCEY, Michael; Purdylucey Intellectual Property Suites 138/139, The Capel Building Mary's Abbey, Dublin 7 (IE)
Données relatives à la priorité :
08104843.1  23.07.2008 EP
61/083,149  23.07.2008 US
Titre (EN) TUNNEL NANOWIRE TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À NANOFILS DE TYPE À EFFET TUNNEL
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a new type of transistor comprising a nanowire structure adapted to provide a tunnel barrier such that an applied gate voltage causes a current to oscillate, as the gate voltage is increased, to provide a region of negative transconductance. The device presents oscillations of current as the gate voltage is increased, typically when the cross section of the wire is smaller than I0nm. The sub-threshold slope of the current is larger than 60 mV/decade but can locally reach values smaller than 60 mV/decade in devices with small cross sections. The new transistor has applications in ultra fast switches operating at a very low voltage and in the area of memory devices in the nano-scale.
(FR)L'invention concerne un nouveau type de transistor comprenant une structure de nanofils conçue pour former une barrière de type tunnel de sorte qu'une tension de grille appliquée fasse osciller le courant, à mesure que la tension de grille augmente, de manière à former une région de transconductance négative. Le dispositif présente des oscillations de courant lorsque la tension de grille augmente, généralement lorsque la section transversale du fil est inférieure à 10 nm. La pente de sous-seuil du courant est supérieure à 60 mV/décade, mais peut localement atteindre des valeurs inférieures à 60 mV/décade dans des dispositifs de section transversale réduite. Ce nouveau transistor peut être utilisé dans des commutateurs ultra-rapides fonctionnant à très basse tension, ainsi que dans le domaine des dispositifs de mémoire à l'échelle nanométrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)