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1. (WO2010009416) PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIFS DE DÉCOUPE EN DIAMANT POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/009416    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/051022
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 17.07.2009
CIB :
E21B 10/46 (2006.01), E21B 10/56 (2006.01)
Déposants : SMITH INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 1310 Rankin Rd. Houston, TX 77073 (US) (Tous Sauf US).
ZHANG, Youhe [US/US]; (US) (US Seulement).
SHEN, Yuelin [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Youhe; (US).
SHEN, Yuelin; (US)
Mandataire : BERGMAN, Jeffrey, S.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/081,619 17.07.2008 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING POLYCRYSTALLINE DIAMOND CUTTERS
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIFS DE DÉCOUPE EN DIAMANT POLYCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a cutting element that includes forming at least one cavity in at least one surface of a polycrystalline abrasive body; placing the polycrystalline abrasive body adjacent a substrate such that an opening of at least one cavity is adjacent the substrate at an interface, wherein an interface surface of the substrate is non-mating with the polycrystalline abrasive body; and subjecting the polycrystalline abrasive body and substrate to high pressure /high temperature conditions is disclosed.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un élément coupant qui comprend la formation d'au moins une cavité dans au moins une surface d'un corps abrasif et polycristallin ; la mise en place du corps abrasif polycristallin adjacent à un substrat de telle sorte qu'une ouverture d'au moins une cavité est adjacente au substrat au niveau d'une interface, une surface d'interface du substrat n'étant pas appariée avec le corps abrasif polycristallin ; et la soumission du corps abrasif polycristallin et du substrat à des états de haute pression/haute température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)