WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010009325) CROISSANCE DE NITRURE DE GALLIUM PLANAIRE NON POLAIRE {1-1 0 0} SUR LE PLAN M ET SEMI-POLAIRE {1 1-2 2} AVEC ÉPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR MÉTHODE AUX HYDRURES (HVPE)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/009325    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/050867
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 16.07.2009
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)
Déposants : OSTENDO TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 6185 Paseo Del Norte, Suite 200 Carlsbad, CA 92011 (US) (Tous Sauf US).
USIKOV, Alexander [RU/--]; (US) (US Seulement).
SYRKIN, Alexander [RU/--]; (US) (US Seulement).
BROWN, Robert, G.w. [GB/US]; (US) (US Seulement).
EL-GHOROURY, Hussein, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
SPIBERG, Philippe [US/US]; (US) (US Seulement).
IVANTSOV, Vladimir [RU/--]; (US) (US Seulement).
KOVALENKOV, Oleg [RU/--]; (US) (US Seulement).
SHAPOVALOVA, Lisa [US/--]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : USIKOV, Alexander; (US).
SYRKIN, Alexander; (US).
BROWN, Robert, G.w.; (US).
EL-GHOROURY, Hussein, S.; (US).
SPIBERG, Philippe; (US).
IVANTSOV, Vladimir; (US).
KOVALENKOV, Oleg; (US).
SHAPOVALOVA, Lisa; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
61/081,145 16.07.2008 US
12/503,656 15.07.2009 US
Titre (EN) GROWTH OF SEMI-POLAR (11-22) OR (10-13) GALLIUM NITRIDE WITH HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY
(FR) CROISSANCE DE NITRURE DE GALLIUM PLANAIRE NON POLAIRE {1-1 0 0} SUR LE PLAN M ET SEMI-POLAIRE {1 1-2 2} AVEC ÉPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR MÉTHODE AUX HYDRURES (HVPE)
Abrégé : front page image
(EN)A method of growing semi-polar III-Nitride material, such as (11-22) or (10-13) gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the Ill-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane Sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in the ambient of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the III-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE.
(FR)L'invention concerne un procédé de culture de matériau au nitrure III planaire non polaire dans le plan m ou semi-polaire, tel qu'une couche épitaxique de nitrure de gallium (GaN) dans le plan m, dans lequel le matériau au nitrure III croît sur un substrat adapté, comme un substrat de saphir dans le plan m, au moyen de l'épitaxie en phase vapeur par méthode aux hydrures (HVPE). Le procédé consiste en un prétraitement in-situ du substrat à des températures élevées dans une atmosphère d'ammoniac et d'argon, en la culture d'une couche intermédiaire comme un nitrure d'aluminium (AlN) ou un nitrure d'aluminium et de gallium (AlGaN) sur le substrat recuit, et en la culture de la couche épitaxique de nitrure III non polaire dans le plan m sur la couche intermédiaire par HVPE.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)