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1. (WO2010009323) MASQUE DE PHASE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/009323    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/050864
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 16.07.2009
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 W. 7th St. Austin, TX 78701 (US) (Tous Sauf US).
LIN, Yuankun [--/US]; (US) (US Seulement).
LOZANO, Karen [--/US]; (US) (US Seulement).
HARB, Ahmad [--/US]; (US) (US Seulement).
RODRIGUEZ PONCE, Daniel [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIN, Yuankun; (US).
LOZANO, Karen; (US).
HARB, Ahmad; (US).
RODRIGUEZ PONCE, Daniel; (US)
Mandataire : SPENCE, Chris, W.; Fulbright & Jaworski L.L.P. 600 Congress Ave., Suite 2400 Austin, Texas 78701 (US)
Données relatives à la priorité :
61/081,226 16.07.2008 US
Titre (EN) PHASE MASK AND METHOD OF FABRICATION
(FR) MASQUE DE PHASE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a two-layer phase mask comprises subjecting a photoresist material to two overlapping laser beams that create light and dark fringes in the overlapping beam regions. The photoresist can comprise a liquid crystal and a photo-sensitive material, including, for example, a photo-sensitive monomer and/or polymer. The two laser beams can be first directed towards one side of the photoresist. In the areas subjected to lighter fringes, the polymer molecules can link together and force the liquid crystal into the areas subjected to the darker fringes. This can leave an alternating pattern of linear strips of polymer-rich and liquid crystal-rich regions. The exposure time can be limited so that the strips are formed only partially through the thickness of the photoresist. The photoresist can be then rotated 90 degrees and the overlapping laser beams directed towards the opposite side of the photoresist. Alternating strips of polymer-rich and liquid crystal-rich regions can be formed that extend partially through the photoresist. These strips can be arranged orthogonally to the strips formed on the opposite side of the photoresist. The material in liquid crystal-rich regions can be washed out when the photoresist is developed. A two-layer, integrated phase mask can therefore be produced. Exemplary methods eliminate the need for complicated alignment techniques.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un masque de phase bicouche, comportant les étapes consistant à soumettre un matériau de résine photosensible à deux faisceaux laser se chevauchant qui créent des franges claires et sombres dans les régions de chevauchement des faisceaux. La résine photosensible peut comprendre un cristal liquide et un matériau photosensible, notamment par exemple un monomère et / ou un polymère photosensible. Les deux faisceaux laser peuvent être d'abord dirigés vers une face de la résine photosensible. Dans les zones soumises aux franges claires, les molécules de polymère peuvent s'accrocher les unes aux autres et chasser le cristal liquide vers les zones soumises aux franges sombres. Ceci peut laisser un motif alterné de bandes linéaires de régions riches en polymère et riches en cristal liquide. Le temps d'exposition peut être limité de telle sorte que les bandes ne soient formées que sur une partie de l'épaisseur de la résine photosensible. On peut alors faire pivoter la résine photosensible de 90 degrés et diriger les faisceaux laser se chevauchant vers la face opposée de la résine photosensible, ce qui permet de former des bandes alternées de régions riches en polymère et riches en cristal liquide s'étendant sur une partie de l'épaisseur de la résine photosensible. Ces bandes peuvent être disposées de façon orthogonale par rapport aux bandes formées sur la face opposée de la résine photosensible. Le matériau présent dans les régions riches en cristal liquide peut être éliminé par rinçage lorsque la résine photosensible est développée. On parvient ainsi à produire un masque de phase bicouche intégré. On décrit à titre d'exemple des procédés éliminant le besoin de techniques compliquées d'alignement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)