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1. (WO2010008938) DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES COMPRENANT DES FILMS À BASE DE CARBONE POURVUS DE REVÊTEMENTS DE PAROI LATÉRALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TELS DISPOSITIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/008938    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049462
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 01.07.2009
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 Mccarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
SCHRICKER, April, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRICKER, April, D.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian M.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/081,029 15.07.2008 US
12/415,964 31.03.2009 US
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICES INCLUDING CARBON-BASED FILMS HAVING SIDEWALL LINERS, AND METHODS OF FORMING SUCH DEVICES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES COMPRENANT DES FILMS À BASE DE CARBONE POURVUS DE REVÊTEMENTS DE PAROI LATÉRALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TELS DISPOSITIFS
Abrégé : front page image
(EN)Methods in accordance with aspects of this invention form microelectronic structures in accordance with other aspects of this invention, such as non-volatile memories, that include (1) a layerstack having a pattern including sidewalls, the layerstack comprising a resistivity-switchable layer disposed above and in contact with a bottom electrode, and a top electrode disposed above and in contact with the resistivity-switchable layer; and (2) a dielectric sidewall liner in contact with the sidewalls of the layerstack; wherein the resistivity- switchable layer includes a carbon-based material, and the dielectric sidewall liner includes an oxygen-poor dielectric material. Numerous additional aspects are provided.
(FR)Selon certains aspects de la présente invention, des procédés permettent de former des structures microélectroniques conformément à d'autres aspects de cette invention, telles que des mémoires non volatiles, qui comprennent (1) un empilement de couches présentant une structure, y compris des parois latérales, l'empilement de couches comprenant une couche pouvant être commutée en résistivité disposée au-dessus de et en contact avec une électrode inférieure, et une électrode supérieure disposée au-dessus de et en contact avec la couche pouvant être commutée en résistivité ; et (2) un revêtement de paroi latérale diélectrique en contact avec les parois latérales de l'empilement de couches ; la couche pouvant être commutée en résistivité comprenant un matériau à base de carbone, et le revêtement de paroi latérale diélectrique comprenant un matériau diélectrique pauvre en oxygène. De nombreux aspects supplémentaires sont décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)