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1. (WO2010008930) PROCÉDÉS PERMETTANT DE FAVORISER L’ADHÉSION ENTRE UNE COUCHE BARRIÈRE ET UN FILM À FAIBLE K DÉPOSÉ À PARTIR DE PRÉCURSEURS LIQUIDES MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/008930    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049216
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
CHAN, Kelvin [CN/US]; (US) (US Seulement).
YIM, Kang, Sub [KR/US]; (US) (US Seulement).
DEMOS, Alexandros, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHAN, Kelvin; (US).
YIM, Kang, Sub; (US).
DEMOS, Alexandros, T.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
12/173,659 15.07.2008 US
Titre (EN) METHODS TO PROMOTE ADHESION BETWEEN BARRIER LAYER AND POROUS LOW-K FILM DEPOSITED FROM MULTIPLE LIQUID PRECURSORS
(FR) PROCÉDÉS PERMETTANT DE FAVORISER L’ADHÉSION ENTRE UNE COUCHE BARRIÈRE ET UN FILM À FAIBLE K DÉPOSÉ À PARTIR DE PRÉCURSEURS LIQUIDES MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)A method for processing a substrate is provided, wherein a first organosilicon precursor, a second organosilicon precursor, a porogen, and an oxygen source are provided to a processing chamber. The first organosilicon precursor comprises compounds having generally low carbon content. The second organosilicon precursor comprises compounds having higher carbon content. The porogen comprises hydrocarbon compounds. RF power is applied to deposit a film on the substrate, and the flow rates of the various reactant streams are adjusted to change the carbon content as portions of the film are deposited. In one embodiment, an initial portion of the deposited film has a low carbon content, and is therefore oxide-like, while successive portions have higher carbon content, becoming oxycarbide-like. Another embodiment features no oxide-like initial portion. Post-treating the film generates pores in portions of the film having higher carbon content.
(FR)L’invention concerne un procédé de transformation d’un substrat consistant à fournir un premier précurseur organosilicé, un second précurseur organosilicé, un porogène, et une source d’oxygène dans une chambre de traitement. Le premier précurseur organosilicé comprend des composés présentant généralement une faible teneur en carbone. Le second précurseur organosilicé comprend des composés présentant une teneur élevée en carbone. Le porogène comprend des composés hydrocarbonés. Un film est déposé sur le substrat par application d’une puissance radioélectrique, et les débits des divers flux de réactifs sont ajustés afin de modifier la teneur en carbone pendant que des portions de film sont déposées. Dans un mode de réalisation, une portion initiale du film déposé présente une faible teneur en carbone, et est donc semblable à de l’oxyde, tandis que les portions successives présentent une teneur élevée en carbone et deviennent semblables à de l’oxycarbure. Un autre mode de réalisation décrit une portion initiale non semblable à de l’oxyde. Un post-traitement du film génère des pores dans les portions du film présentant une faible teneur en carbone.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)