WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010008781) PROCÉDÉ DE CONDITIONNEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS AU NIVEAU D'UNE PLAQUETTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/008781    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/048079
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 22.06.2009
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), H01L 23/10 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449 (US) (Tous Sauf US).
DAVIS, William, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
FILLMORE, Ward, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
MACDONALD, Scott [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DAVIS, William, J.; (US).
FILLMORE, Ward, G.; (US).
MACDONALD, Scott; (US)
Mandataire : MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP Suite 301a 354A Turnpike St. Canton, MA 02021 (US)
Données relatives à la priorité :
12/175,692 18.07.2008 US
Titre (EN) METHOD FOR PACKAGING SEMICONDUCTORS AT A WAFER LEVEL
(FR) PROCÉDÉ DE CONDITIONNEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS AU NIVEAU D'UNE PLAQUETTE
Abrégé : front page image
(EN)A method for packaging a plurality of semiconductor devices formed in a surface portion of a semiconductor wafer. The method includes: lithographically forming, in a first lithographically processable material disposed on the surface portion of the semiconductor wafer, device exposing openings to expose the devices and electrical contact pad openings to expose electrical contact pads for devices; and mounting a support having a rigid dielectric layer formed on a selected portion of the support, such rigid dielectric layer comprising a second lithographically processable material, such rigid material being suspended over the device exposing openings and removed from portions of the support disposed over the electrical contacts pads openings in the first lithographically processable material. The support is released and removed from the second lithographically processable material, leaving the second photolithographically processable material bonded to the first photolithographically processable material.
(FR)L'invention porte sur un procédé de conditionnement d'une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs formée dans une partie de surface d'une plaquette à semi-conducteurs. Le procédé comprend : la formation lithographique, dans un premier matériau pouvant être traité par lithographie, disposé sur la partie de surface de la plaquette à semi-conducteurs, d'ouvertures d'exposition de dispositif destinée à exposer les dispositifs et d'ouvertures de plage de contacts électriques destinées à exposer les plages de contact électrique des dispositifs; et le montage d'un support comportant une couche diélectrique rigide formée sur une partie sélectionnée du support, une telle couche diélectrique rigide comprenant un second matériau pouvant être traité par lithographie, un tel matériau rigide étant suspendu au-dessus des ouvertures d'exposition de dispositif et retiré des parties du support disposées au-dessus des ouvertures de plages de contact électrique dans le premier matériau pouvant être traité par lithographie. Le support est libéré et retiré du second matériau pouvant être traité par lithographie, laissant le second matériau pouvant être traité par lithographie lié au premier matériau pouvant être traité par photolithographie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)