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1. (WO2010008517) APPAREIL DE DÉPÔT POUR AMÉLIORER L’UNIFORMITÉ DE MATÉRIAU TRAITÉ SUR UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D’UTILISATION DE L’APPAREIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/008517    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/004056
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 13.07.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : UNITED SOLAR OVONIC LLC [US/US]; 3800 Lapeer Road Auburn Hills, MI 48326 (US) (Tous Sauf US).
LI, Yang [US/US]; (US) (US Seulement).
JONES, Scott [US/US]; (US) (US Seulement).
CANNELLA, Vin [US/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Arun [US/US]; (US) (US Seulement).
DOEHLER, Joachim [DE/US]; (US) (US Seulement).
YOUNAN, Kais [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Yang; (US).
JONES, Scott; (US).
CANNELLA, Vin; (US).
KUMAR, Arun; (US).
DOEHLER, Joachim; (US).
YOUNAN, Kais; (US)
Mandataire : KRIEGER, Frederick, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/134,855 14.07.2008 US
Titre (EN) DEPOSITION APPARATUS FOR IMPROVING THE UNIFORMITY OF MATERIAL PROCESSED OVER A SUBSTRATE AND METHOD OF USING THE APPARATUS
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT POUR AMÉLIORER L’UNIFORMITÉ DE MATÉRIAU TRAITÉ SUR UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D’UTILISATION DE L’APPAREIL
Abrégé : front page image
(EN)Deposition apparatus for uniformly forming material on a substrate in accordance with an exemplary embodiment is provided. The deposition apparatus includes an energy source, an electrode in a facing, spaced relationship with respect to the substrate, and interface structure joined to the electrode. The interface structure is configured to electrically couple energy from the energy source through and about the interface structure to the electrode for formation of a substantially uniform electric field between the electrode and a predetermined area of the substrate when the interface structure is supplied with energy from the energy source.
(FR)L’invention concerne un appareil de dépôt pour former uniformément un matériau sur un substrat selon un mode de réalisation d’exemple. L’appareil de dépôt comprend une source d’énergie, une électrode en relation de face écartée par rapport au substrat, et une structure d’interface jointe à l’électrode. La structure d’interface est configurée pour coupler électriquement l’énergie depuis la source d’énergie à travers et autour de la structure d’interface vers l’électrode pour la formation d’un champ électrique sensiblement uniforme entre l’électrode et une zone prédéterminée du substrat lorsque la structure d’interface est alimentée en énergie par la source d’énergie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)