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1. (WO2010008467) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DES PARTICULES ET DE LA CONTAMINATION PAR ADAPTATION DE FORMES D’OUVERTURE COMPLÉMENTAIRE DE FAISCEAU À DES FORMES DE FAISCEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/008467    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/003739
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 23.06.2009
CIB :
H01J 37/09 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Attn: Denis A Robitaille 108 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915 (US) (Tous Sauf US).
GRANT, John [US/US]; (US) (US Seulement).
SPLINTER, Patrick [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GRANT, John; (US).
SPLINTER, Patrick; (US)
Données relatives à la priorité :
12/146,122 25.06.2008 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING PARTICLES AND CONTAMINATION BY MATCHING BEAM COMPLEMENTARY APERTURE SHAPES TO BEAM SHAPES
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DES PARTICULES ET DE LA CONTAMINATION PAR ADAPTATION DE FORMES D’OUVERTURE COMPLÉMENTAIRE DE FAISCEAU À DES FORMES DE FAISCEAU
Abrégé : front page image
(EN)An ion implantation system (100) comprising an ion source (116) configured to generate an ion beam (104) along a beam path (136), a mass analyzer (130) is located downstream of the ion source wherein the mass analyzer is configured to perform mass analysis of the ion beam and a beam complementary aperture (330) located downstream of the mass analyzer and along the beam path, the beam complementary aperture having a size and shape corresponding to a cross-sectional beam envelope of the ion beam.
(FR)Système d’implantation d’ions, comprenant : une source d’ions conçue pour produire un faisceau d’ions suivant un trajet de faisceau; un analyseur de masse placé en aval de la source d’ions, l’analyseur de masse étant conçu pour effectuer une analyse de masse du faisceau d’ions; et une ouverture complémentaire de faisceau placée en aval de l’analyseur de masse et sur le trajet de faisceau, l’ouverture complémentaire de faisceau présentant une taille et une forme correspondant à une enveloppe transversale du faisceau d’ions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)