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1. (WO2010008116) PROCÉDÉ ET CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA COUPLÉ INDUCTIVEMENT POUR MATÉRIAU CYLINDRIQUE À SURFACE TRIDIMENSIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/008116    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/005734
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 29.09.2008
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : KOREA ELECTRO TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 28-1 Seongju-dong Changwon-si Gyeongsangnam-do 641-120 (KR) (Tous Sauf US).
CHUNG, Sung Il [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
NIKIFOROV, S.a. [RU/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Hyun Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEON, Jeong Woo [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHUNG, Sung Il; (KR).
NIKIFOROV, S.a.; (KR).
OH, Hyun Seok; (KR).
JEON, Jeong Woo; (KR)
Mandataire : HALLA PATENT & LAW FIRM; 14th Fl., KTB Network Bldg. 826-14,Yeoksam-dong, Kangnam-ku Seoul 135-769 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0067915 14.07.2008 KR
Titre (EN) METHOD AND CHAMBER FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING FOR CYLINDERICAL MATERIAL WITH THREE-DIMENSIONAL SURFACE
(FR) PROCÉDÉ ET CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA COUPLÉ INDUCTIVEMENT POUR MATÉRIAU CYLINDRIQUE À SURFACE TRIDIMENSIONNELLE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an inductively coupled plasma processing chamber and method for a cylindrical workpiece with a three-dimensional profile, and more particularly to an inductively coupled plasma processing reactor and method for a cylindrical workpiece with a three-dimensional profile, in which the workpiece serving as an internal RF antenna is connected to an RF power source through an impedance matching network at one end, and a terminating capacitor at another end so as to achieve low plasma contamination, confine dense uniform plasma in the substrate vicinity and suppress secondary electrons emitted from the substrate, and a plasma process can be applied to a 3-D linear semiconductor device, a metal, glass, ceramic or polymer substrate having planar or 3-D structured micro or nano patterns, and the like.
(FR)La présente invention concerne un procédé et une chambre de traitement au plasma couplée inductivement pour une pièce cylindrique présentant un profil tridimensionnel, et plus particulièrement un procédé et un réacteur de traitement au plasma couplé inductivement pour une pièce cylindrique présentant un profil tridimensionnel, dans lequel la pièce servant d'antenne RF interne est reliée à une source d'alimentation RF par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation d'impédances à une extrémité, et d'un condensateur terminal à une autre extrémité de manière à obtenir une faible contamination du plasma, à confiner un plasma uniforme dense au voisinage du substrat et à supprimer des électrons secondaires émis à partir du substrat, et un traitement au plasma peut être appliqué sur un dispositif semi-conducteur linéaire 3-D, un substrat métallique, de verre, céramique ou polymère présentant des motifs micrométriques ou nanométriques planaires ou structurés 3-D, et analogues.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)