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1. (WO2010007983) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAL GAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007983    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062728
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 14.07.2009
CIB :
H01L 21/208 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
UEMATSU, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIDA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORISHITA, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIWARA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UEMATSU, Koji; (JP).
YOSHIDA, Hiroaki; (JP).
MORISHITA, Masanori; (JP).
FUJIWARA, Shinsuke; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-184825 16.07.2008 JP
2008-252791 30.09.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR GROWING GAN CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAL GAN
(JA) GaN結晶の成長方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for growing a GaN crystal.  The method comprises the steps of preparing a substrate (10) that has one principal plane (10m) and contains a GaxAlyIn1-x-yN crystal (10a) having the principal plane (10m), and bringing a solution (7) of nitrogen (5) dissolved in a Ga melt (3) into contact with the principal plane (10m) of the substrate (10) and, in this state, growing a GaN crystal (20) on the principal plane (10m) under an atmosphere temperature of 800 to 1500°C and an atmosphere pressure of 500 to less than 2,000 atm.  The method further comprises, after the step of preparing the substrate (10) and before the step of growing a GaN crystal (20), the step of etching the principal plane (10m) of the substrate (10).  As a result, a GaN crystal which has a low dislocation density and is highly crystalline can be grown without adding any impurity other than the raw material to the melt and without the need to increase the size of a crystal growth apparatus.
(FR)L'invention porte sur un procédé de croissance d'un cristal GaN. Le procédé comprend les étapes consistant à préparer un substrat (10) qui présente un plan principal (10m) et contient un cristal GaxAlyIn1-x-yN (10a) ayant le plan principal (10m), et amener une solution (7) d'azote (5) dissoute dans un bain de Ga (3) en contact avec le plan principal (10m) du substrat (10) et, dans cet état, faire croître un cristal GaN (20) sur le plan principal (10m) à une température atmosphérique de 800 à 1 500°C et à une pression atmosphérique de 500 à moins de 2 000 atm. Le procédé comprend en outre, après l'étape de préparation du substrat (10) et avant l'étape de croissance d'un cristal GaN (20), une étape consistant à graver le plan principal (10m) du substrat (10). En résultat, on peut faire croître un cristal GaN qui possède une faible densité des dislocations et est fortement cristallin sans ajouter d’impureté autre que la matière première au bain et sans nécessiter d'augmenter la dimension d'un appareil de croissance de cristaux.
(JA) 本GaN結晶の成長方法は、一主面(10m)を有する基板(10)であって、その主面(10m)を有するGaxAlyIn1-x-yN種結晶(10a)を含む基板(10)を準備する工程と、基板(10)の主面(10m)にGa融液(3)への窒素の溶解(5)がされた溶液(7)を接触させて、800℃以上1500℃以下の雰囲気温度および500気圧以上2000気圧未満の雰囲気圧力下で、主面(10m)上にGaN結晶(20)を成長させる工程と、を備える。また、基板(10)を準備する工程の後、GaN結晶(20)を成長させる工程の前に、基板(10)の主面(10m)をエッチングする工程を、さらに備える。これにより、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いGaN結晶の成長方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)