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1. (WO2010007982) MONOCRISTAL PIÉZOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007982    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062720
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 14.07.2009
CIB :
C30B 29/30 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
Déposants : FUKUDA CRYSTAL LABORATORY [JP/JP]; 6-3, Minami-Yoshinari 6-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9893204 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHOJI, Ikuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUDA, Tsuguo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Hiroki; (JP).
SHOJI, Ikuhiro; (JP).
INOUE, Keiji; (JP).
FUKUDA, Tsuguo; (JP)
Mandataire : FUKUMORI, Hisao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-185137 16.07.2008 JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) MONOCRISTAL PIÉZOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 圧電単結晶、及び、その製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Heretofore, langasite-based single crystals grown by the Czochralski method have had a problem in that the composition of the crystals varies largely. A langasite-based single crystal is grown by the Czochralski method using a mixed gas in which oxygen is mixed with an inert gas as a growth atmosphere, and the grown crystal is annealed in nitrogen.  During the crystal growth, the temperature gradient in the furnace and convection of the melt in the crucible are controlled by adjusting the ratio of the inner diameter of the work coil to the inner diameter of the crucible, and at the same time, the pulling speed and the rotational speed of the seed crystal are adjusted so that the solid-liquid interface is flat.  Accordingly, a high-quality single crystal suitable for piezoelectric devices can be produced.
(FR)Le procédé de Czochralski permettant la croissance de monocristaux à base de langasite présente un inconvénient en ce que la composition des cristaux varie largement. La croissance d'un monocristal à base de langasite au moyen du procédé de Czochralski s'effectue par utilisation d'un gaz mélangé, dans lequel l'oxygène est mélangé avec un gaz inerte, en tant qu'atmosphère de croissance, et par recuit du cristal obtenu par croissance dans de l'azote.  Pendant la croissance du cristal, le gradient de température du four et la convection du bain fondu dans le creuset sont régulées par réglage du rapport entre le diamètre interne de la bobine de travail et le diamètre interne du creuset, la vitesse de traction et la vitesse de rotation du cristal-germe étant simultanément réglées de sorte que l'interface solide-liquide est plane. En conséquence, il est possible de produire un monocristal de qualité élevée approprié pour des dispositifs piézoélectrique.
(JA) 従来、チョクラルスキー法により育成したランガサイト系単結晶は、結晶内の組成変動が大きいという問題があった。  チョクラルスキー法によりランガサイト系単結晶を育成する際に、育成雰囲気を不活性ガスに酸素を混合した混合ガスを用い、育成した結晶を窒素アニール処理することにした。結晶育成時は、ワークコイルと坩堝の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整した。圧電デバイスに好適な高品質な単結晶の製造が可能になった。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)