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1. (WO2010007951) CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007951    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062618
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 10.07.2009
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (Tous Sauf US).
ONISHI Takashi; (US Seulement).
MIZUNO Masao; (US Seulement).
ITO Hirotaka; (US Seulement).
KOHAMA Kazuyuki; (US Seulement).
ITO Kazuhiro; (US Seulement).
TSUKIMOTO Susumu; (US Seulement).
MURAKAMI Masanori; (US Seulement)
Inventeurs : ONISHI Takashi; .
MIZUNO Masao; .
ITO Hirotaka; .
KOHAMA Kazuyuki; .
ITO Kazuhiro; .
TSUKIMOTO Susumu; .
MURAKAMI Masanori;
Mandataire : OGURI Shohei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-183014 14.07.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WIRING
(FR) CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体配線
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor wiring wherein a barrier layer different from a TiO2 layer is formed on an interface between an insulating film and a Cu wiring without increasing electrical resistivity of the Cu wiring.  In the semiconductor wiring, a Cu wiring containing Ti is embedded in a recessed section arranged on an insulating film on the semiconductor substrate, and a TiC layer is formed between the insulating film and the Cu wiring.  The insulating film is preferably composed of SiCO or SiCN.  The thickness of the TiC layer is preferably 3-30nm.
(FR)L'invention porte sur un câblage semi-conducteur dans lequel une couche barrière différente d'une couche TiO2 est formée sur une interface entre un film isolant et un câblage Cu, sans augmenter la résistivité électrique du câblage Cu. Dans le câblage semi-conducteur, un câblage Cu contenant Ti est incorporé dans une section renfoncée agencée sur un film isolant sur le substrat semi-conducteur, et une couche TiC est formée entre le film isolant et le câblage Cu. Le film isolant est, de préférence, composé de SiCO ou SiCN. L'épaisseur de la couche TiC est, de préférence, de 3 à 30 nm.
(JA) 本発明は、絶縁膜とCu配線の界面に、Cu配線の電気抵抗率を高めることなく、TiO層とは異なるバリア層を形成した半導体配線を提供する。本発明は、半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Tiを含有するCu配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Cu配線の間にはTiC層が形成される。前記絶縁膜は、SiCOまたはSiCNであるとよい。前記TiC層の厚みは、3~30nmであるとよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)