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1. (WO2010007867) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007867    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061699
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 26.06.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP/JP]; 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUHARA, Naho [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANIZAKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAKAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURADA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYANAGA, Michimasa; (JP).
MIZUHARA, Naho; (JP).
TANIZAKI, Keisuke; (JP).
SATOH, Issei; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP).
ARAKAWA, Satoshi; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
SAKURADA, Takashi; (JP)
Mandataire : NAKANO, Minoru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-186210 17.07.2008 JP
2009-121080 19.05.2009 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a group III nitride crystal that can grow a group III nitride crystal having a large thickness and a high quality.  Also disclosed is a group III nitride crystal. The process for producing a group III nitride crystal (13) comprises the following steps.  A base substrate (11) having a main surface (11a) inclined from (0001) plane toward <1-100> is first provided.  A group III nitride crystal (13) is grown on the main surface (11a) of the base substrate (11) by vapor-phase growth.  The main surface (11a) of the base substrate (11) is preferably a plane inclined at -5° to 5° from {01-10} plane.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure du groupe III qui peut faire croître un cristal de nitrure du groupe III ayant une épaisseur importante et une qualité élevée. L'invention porte également sur un cristal de nitrure du groupe III. Le procédé de fabrication d'un cristal de nitrure du groupe III (13) comprend les étapes suivantes. Un substrat de base (11) ayant une surface principale (11a) inclinée du plan (0001) vers <1-100> est tout d'abord obtenu. Un cristal de nitrure du groupe III (13) est amené à croître sur la surface principale (11a) du substrat de base (11) par une croissance en phase vapeur. La surface principale (11a) du substrat de base (11) est, de préférence, un plan incliné à -5° à 5° à partir du plan {01-10}.
(JA)大きな厚みを有し、かつ高品質のIII族窒化物結晶を成長するIII族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶を提供する。 III族窒化物結晶13の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、(0001)面から<1-100>方向に傾斜した主表面11aを有する下地基板11が準備される。そして、気相成長法により下地基板11の主表面11a上にIII族窒化物結晶13が成長される。下地基板11の主表面11aは、{01-10}面から-5°以上5°以下傾斜した面であることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)