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1. (WO2010007799) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE PRÉFORME DE FIBRE OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007799    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003385
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 17.07.2009
CIB :
C03B 37/018 (2006.01), G02B 6/00 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Dai [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAO, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIDE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Dai; (JP).
NAGAO, Takaaki; (JP).
KOIDE, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : RYUKA IP Law Firm; 5F, Shinjuku Square Tower, 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-187918 18.07.2008 JP
2009-168138 16.07.2009 JP
Titre (EN) OPTICAL FIBER PREFORM PRODUCTION METHOD AND OPTICAL FIBER PREFORM PRODUCTION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE PRÉFORME DE FIBRE OPTIQUE
(JA) 光ファイバ用母材の製造方法および光ファイバ用母材の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing an optical fiber preform using VAD, in which oxygen, hydrogen and a silicon compound are supplied to a core deposition burner, silicon dioxide produced by the hydrolysis reaction in the oxyhydrogen flame is sequentially deposited at the tip of a starting material, the drawing rate is regulated to match the growth of the porous preform so that the deposition tip is at a fixed position, the average drawing rate is calculated at preset intervals, and the difference is calculated between the calculated average drawing rate and a preset drawing rate setting. When the supplied hydrogen has been produced or stored at room temperature, the silicon tetrachloride flow rate is corrected according to said difference, and when the supplied hydrogen has been gasified from liquid hydrogen, the hydrogen flow rate is corrected according to said difference. When the hydrogen flow rate is corrected, the flow rate of hydrogen supplied to a cladding deposition burner is also corrected at the same ratio as the ratio of the flow rates of hydrogen supplied to the core deposition burner before and after correction.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de produire une préforme de fibre optique à l'aide d’un appareil de dépôt axial en phase vapeur (VAD), dans lequel de l’oxygène, de l’hydrogène et un composé de silicium sont introduits dans un brûleur pour dépôt de cœur, le dioxyde de silicium produit par la réaction d’hydrolyse dans la flamme oxhydrique est séquentiellement déposé sur la pointe d’un matériau de départ, la vitesse d’étirage est régulée pour correspondre à la croissance de la préforme poreuse de sorte que la pointe de dépôt se trouve à une position fixe, la vitesse d’étirage moyenne est calculée à des intervalles prédéfinis, et la différence entre la vitesse d’étirage moyenne calculée et un réglage de vitesse d’étirage prédéfini est calculée. Lorsque l’hydrogène apporté a été produit ou conservé à température ambiante, le débit de tétrachlorure de silicium est corrigé en fonction de ladite différence, et lorsque l’hydrogène apporté a été gazéifié à partir d’hydrogène liquide, le débit d’hydrogène est corrigé en fonction de ladite différence. Lorsque le débit d’hydrogène est corrigé, le débit d’hydrogène ajouté à un brûleur pour dépôt de gaine est également corrigé dans un rapport identique au rapport des débits d’hydrogène apporté au brûleur pour dépôt de cœur avant et après correction.
(JA) VAD法による光ファイバ用母材の製造方法において、コア堆積用バーナに酸素、水素及び珪素化合物を供給し、酸水素火炎内での加水分解反応で生成した二酸化珪素を出発材の先端に順次堆積し、多孔質母材の成長に合わせて堆積先端位置が一定位置にあるように引き上げ速度を調整し、予め設定された時間毎に引き上げ速度の平均値を算出し、算出された引き上げ速度の平均値と予め設定された引き上げ速度設定値との差分を算出し、供給される水素が常温で製造又は貯蔵された水素の場合には、該差分に応じて四塩化珪素の流量を補正し、供給される水素が液体水素を気化させた水素の場合には、該差分に応じて水素の流量を補正し、該水素の流量を補正する際に、コア堆積用バーナに供給される水素の補正前後の流量の比と同じ比で、クラッド堆積用バーナに供給される水素の流量も補正する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)