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1. (WO2010007792) ÉLÉMENT D'IMAGERIE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007792    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003364
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 16.07.2009
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), G02B 3/08 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SAITOU, Shigeru; (US Seulement).
TANAKA, Keisuke; (US Seulement).
TOSHIKIYO, Kimiaki; (US Seulement).
HIROSE, Yutaka; (US Seulement).
ISHII, Motonori; (US Seulement)
Inventeurs : SAITOU, Shigeru; .
TANAKA, Keisuke; .
TOSHIKIYO, Kimiaki; .
HIROSE, Yutaka; .
ISHII, Motonori;
Mandataire : NII, Hiromori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-185419 16.07.2008 JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solid-state imaging element having a configuration effective for improving sensitivity by reducing a light collection loss and increase of color mixing caused by increase of the angle of the incident light into a waveguide upon an oblique incidence.  The solid-state imaging element includes: a Si substrate (6); a plurality of unit pixels arranged on the Si substrate (6); a wire layer (4) formed on the unit pixels; an optical waveguide region (401) penetrating the wire layer (4) formed on an photoelectric conversion region contained in the unit pixels; and a light collection element (501) formed on the optical waveguide region (401).  The light collection element (501) is a refractive-index-distributed type microlens having an effective refractive index distribution.
(FR)L'invention porte sur un élément d'imagerie semi-conducteur ayant une configuration efficace pour améliorer une sensibilité par réduction d'une perte de collecte de lumière et une augmentation d'un mélange de couleurs provoqué par une augmentation de l'angle de la lumière incidente dans un guide d'ondes lors d'une incidence oblique. L'élément d'imagerie semi-conducteur comprend : un substrat Si (6); une pluralité de pixels unitaires agencés sur le substrat Si (6); une couche de câblage (4) formée sur les pixels unitaires; une région de guide d'ondes optique (401) pénétrant dans la couche de câblage (4) formée sur une région de conversion photoélectrique contenue dans les pixels unitaires; et un élément de collecte de lumière (501) formé sur la région de guide d'ondes optique (401). L'élément de collecte de lumière (501) est une microlentille de type à indice de réfraction distribué ayant une distribution d'indice de réfraction efficace.
(JA)斜め入射時において、導波路内に入射する光の角度の増加による集光ロスおよび混色の増加を低減し、感度向上に有効な構成を備えた固体撮像素子であって、Si基板(6)と、Si基板(6)上に配置された複数の単位画素と、複数の単位画素上に形成された配線層(4)と、単位画素に含まれる光電変換領域上に形成された配線層(4)を貫く光導波領域(401)と、光導波領域(401)上に形成された集光素子(501)とを備え、集光素子(501)は実効屈折率分布を有する屈折率分布型マイクロレンズであることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)