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1. (WO2010007695) ÉLÉMENT À VANNE DE SPIN ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE LES EMPLOYANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/007695    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/066076
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 05.09.2008
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
Déposants : Fuji Electric Holdings Co., Ltd. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2100856 (JP) (Tous Sauf US).
KAWAKAMI, Haruo; (US Seulement).
OGIMOTO, Yasushi; (US Seulement)
Inventeurs : KAWAKAMI, Haruo; .
OGIMOTO, Yasushi;
Mandataire : OKUYAMA, Shoichi; 8th Floor, Akasaka NOA Bldg., 2-12, Akasaka 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-182651 14.07.2008 JP
Titre (EN) SPIN VALVE ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD AND STORAGE DEVICE EMPLOYING THEM
(FR) ÉLÉMENT À VANNE DE SPIN ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE LES EMPLOYANT
(JA) スピンバルブ素子及びその駆動方法並びにこれらを用いる記憶装置
Abrégé : front page image
(EN)In a spin valve element having a pair of ferromagnetic layers (23, 25) of different coercive force sandwiching an insulator layer (24) or a nonmagnetic layer (51) in order to perform multilevel recording, the in-plane profile of the ferromagnetic layer (25) of weak coercive force is substantially made circular thus obtaining a spin valve element (1) provided with a plurality of insular nonmagnetic parts (IN, IE, Iw, IS). A storage device (10) is manufactured using such spin valve elements.
(FR)Selon l’invention, dans un élément à vanne de spin doté d’une paire de couches ferromagnétiques (23, 25) de force coercitive différente, entre lesquelles est intercalée une couche isolante (24) ou une couche non magnétique (51) afin de réaliser un enregistrement multiniveau, le profilé dans le plan de la couche ferromagnétique (25) de force coercitive faible est rendu sensiblement circulaire, permettant ainsi d'obtenir un élément à vanne de spin (1) comportant une pluralité de parties non magnétiques insulaires (IN, IE, Iw, IS). Un dispositif de stockage (10) est fabriqué à l'aide de tels éléments à vanne de spin.
(JA) スピンバルブ素子において多値記録を行うために、絶縁体層24または非磁性層51を挟み、保磁力が互いに異なっている1対の強磁性層23,25を有するスピンバルブ素子であって、保磁力が弱い強磁性層25の面内形状を概ね円形にして、複数の島状非磁性部I、I、I、Iを設けるスピンバルブ素子1を得る。また、そのようなスピンバルブ素子を用いて記憶装置10を作製する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)