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1. (WO2010006847) PROCÉDÉ DE RETRAIT D’UN DÉPÔT SUR UN MIROIR MULTICOUCHE NON PROTÉGÉ D’UN APPAREIL LITHOGRAPHIQUE, APPAREIL LITHOGRAPHIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/006847    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/057097
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 09.06.2009
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : ASML NETHERLANDS B.V. [--/NL]; De Run 6501 NL-5504 DR Veldhoven (NL) (Tous Sauf US).
BANINE, Vadim [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
JAK, Martin [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SOER, Wouter; (NL) (US Seulement).
VAN HERPEN, Maarten; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : BANINE, Vadim; (NL).
JAK, Martin; (NL).
SOER, Wouter; (NL).
VAN HERPEN, Maarten; (NL)
Mandataire : SLENDERS, Peter; (NL)
Données relatives à la priorité :
61/077,066 30.06.2008 US
61/136,910 14.10.2008 US
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING A DEPOSITION ON AN UNCAPPED MULTILAYER MIRROR OF A LITHOGRAPHIC APPARATUS, LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT D’UN DÉPÔT SUR UN MIROIR MULTICOUCHE NON PROTÉGÉ D’UN APPAREIL LITHOGRAPHIQUE, APPAREIL LITHOGRAPHIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A method for removal of a deposition on an uncapped multilayer mirror of an apparatus. The method includes providing a gas comprising one or more Of H2, D2 and DH, and one or more additional compounds selected from hydrocarbon compounds and/or silane compounds in at least part of the apparatus; producing hydrogen and/or deuterium radicals and radicals of the one or more additional compounds, from the gas; and bringing the uncapped multilayer mirror with deposition into contact with at least part of the hydrogen and/or deuterium radicals and the radicals of the one or more additional compounds to remove at least part of the deposition.
(FR)L’invention concerne un procédé de retrait d’un dépôt sur un miroir multicouche non protégé d’un appareil. Le procédé consiste à introduire un gaz comprenant du H2 et/ou du D2 et/ou du DH et un ou plusieurs composés additionnels sélectionnés parmi des composés hydrocarbures et/ou des composés silanes dans au moins une partie de l’appareil ; à produire des radicaux d’hydrogène et/ou de deutérium et des radicaux du ou des composés additionnels, à partir du gaz ; et à mettre le miroir multicouche non protégé avec dépôt en contact avec au moins une partie des radicaux d’hydrogène et/ou de deutérium et les radicaux du ou des composés additionnels pour retirer au moins une partie du dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)