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1. (WO2010006440) ANTENNES PHOTOCONDUCTRICES TÉRAHERTZ À ÉLECTRODES CONDUCTRICES TRANSPARENTES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/006440    N° de la demande internationale :    PCT/CA2009/001010
Date de publication : 21.01.2010 Date de dépôt international : 20.07.2009
CIB :
H01Q 1/36 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/08 (2006.01), H01Q 1/38 (2006.01)
Déposants : T-RAY SCIENCE INC. [CA/CA]; Waterloo Research & Technology Park 295 Hagey Blvd. Suite 5B Waterloo, Ontario N2L 6R5 (CA) (Tous Sauf US).
SAEEDKIA, Daryoosh [IR/CA]; (CA) (US Seulement).
ESMAILI-RAD, Mohammad-Reza [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : SAEEDKIA, Daryoosh; (CA).
ESMAILI-RAD, Mohammad-Reza; (CA)
Mandataire : BERESKIN & PARR LLP/S.E.N.C.R.L.s.r.l.; 40 King Street West 40th Floor Toronto, Ontario M5H 3Y2 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/081,831 18.07.2008 US
Titre (EN) TERAHERTZ PHOTOCONDUCTIVE ANTENNAS HAVING TRANSPARENT CONDUCTOR ELECTRODES AND METHODS OF MAKING SAME
(FR) ANTENNES PHOTOCONDUCTRICES TÉRAHERTZ À ÉLECTRODES CONDUCTRICES TRANSPARENTES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A photoconductive antenna includes a first electrode made of a first conductor material having a low resistivity, a second electrode made of a second conductor material having a low resistivity, and a photoconductor layer of photoconductor material extending between the first electrode and the second electrode. The second electrode is spaced from and generally parallel to the first electrode. The photoconductor material is capable of generating or detecting terahertz radiation when impinged upon by incident laser radiation having an optical or infrared wavelength. At least one of the first conductor material and the second conductor material comprises a transparent conductor material that is transparent to the incident laser radiation.
(FR)L'invention porte sur une antenne photoconductrice qui comprend une première électrode faite d'un premier matériau conducteur possédant une résistivité faible, une seconde électrode faite d'un second matériau conducteur possédant une résistivité faible, et une couche photoconductrice de matériau photoconducteur s'étendant entre la première électrode et la seconde électrode. La seconde électrode est espacée de la première électrode et sensiblement parallèle à celle-ci. Le matériau photoconducteur est capable de générer ou de détecter un rayonnement térahertz lorsqu'il est frappé par un rayonnement laser incident ayant une longueur d'onde optique ou infrarouge. Le premier matériau conducteur et/ou le second matériau conducteur comporte un matériau conducteur transparent qui est transparent au rayonnement laser incident.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)