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1. (WO2010006065) DISPOSITIFS MICROÉLECTROMÉCANIQUES À COUVERCLE CONSTITUÉ D'UNE COUCHE MINCE, ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/006065    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049959
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 08.07.2009
CIB :
B81B 7/00 (2006.01), B81B 7/02 (2006.01)
Déposants : WISPRY, INC.; 20 Fairbanks Suite 198 Irvine, CA 92618 (US) (Tous Sauf US).
MORRIS, Arthur, S., III [US/US]; (US) (US Seulement).
SUN, Li [CN/US]; (US) (US Seulement).
BAYTAN, Norito [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MORRIS, Arthur, S., III; (US).
SUN, Li; (US).
BAYTAN, Norito; (US)
Mandataire : WILSON, Jeffrey, L.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/134,217 08.07.2008 US
Titre (EN) THIN-FILM LID MEMS DEVICES AND METHODS
(FR) DISPOSITIFS MICROÉLECTROMÉCANIQUES À COUVERCLE CONSTITUÉ D'UNE COUCHE MINCE, ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)Thin film encapsulation devices and methods for MEMS devices and packaging are provided. For a MEMS device encapsulated by a sacrificial layer, a lid layer can be deposited over the MEMS device without touching the MEMS device. The lid layer can be patterned and etched with a distribution of release etch holes, which provide access to the sacrificial layer encapsulating the MEMS device. The sacrificial material can be removed through the release etch holes, and the release etch holes can be filled with a seal layer. The seal layer can be removed from the substrate except where it seals the etch holes, leaving a series of plugs that can prevent other materials from entering the MEMS device cavity. In addition, a seal metal layer can be deposited and patterned so that it covers and encloses the plugged etch holes, and a barrier layer can cover the entire encapsulation structure.
(FR)L'invention porte sur des dispositifs et procédés d'encapsulation par couche mince pour des dispositifs microélectromécaniques (MEMS) et des emballages. Pour un dispositif MEMS encapsulé par une couche sacrificielle, une couche de couvercle peut être déposée sur le dispositif MEMS sans toucher le dispositif MEMS. La couche de couvercle peut être structurée et gravée avec une distribution de trous de gravure de dégagement, qui donnent accès à la couche sacrificielle qui encapsule le dispositif MEMS. Le matériau sacrificiel peut être enlevé par les trous de gravure de dégagement, et les trous de gravure de dégagement peuvent être remplis d'une couche de scellement. La couche de scellement peut être retirée du substrat, sauf en les points où elle bouche les trous de gravure, en laissant une série de bouchons qui peuvent empêcher que d'autres matériaux ne pénètrent dans la cavité du dispositif MEMS. En outre, une couche d'un métal de scellement peut être déposée et structurée de façon à recouvrir et enfermer les trous de gravure bouchés, et une couche barrière peut recouvrir la totalité de la structure d'encapsulation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)