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1. (WO2010005931) DISPOSITIF SONDE ÉLECTROSTATIQUE À COUPLAGE CAPACITIF (CCE) POUR DÉTECTER LE DESSERRAGE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005931    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049759
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 07.07.2009
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
BOOTH, Jean-Paul [FR/US]; (US) (US Seulement).
KEIL, Douglas L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOOTH, Jean-Paul; (US).
KEIL, Douglas L.; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph A.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/078,742 07.07.2008 US
Titre (EN) CAPACITIVELY-COUPLED ELECTROSTATIC (CCE) PROBE ARRANGEMENT FOR DETECTING DECHUCKING IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER AND METHODS THEREOF
(FR) DISPOSITIF SONDE ÉLECTROSTATIQUE À COUPLAGE CAPACITIF (CCE) POUR DÉTECTER LE DESSERRAGE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)A method for identifying a signal perturbation characteristic of a dechucking event within a processing chamber of a plasma processing system is provided. The method includes executing a dechucking step within the processing chamber to remove a substrate from a lower electrode, wherein the dechucking step includes generating plasma capable of providing a current to neutralize an electrostatic charge on the substrate. The method also includes employing a probe head to collect a set of characteristic parameter measurements during the dechucking step. The probe head is on a surface of the processing chamber, wherein the surface is within close proximity to a substrate surface. The method further includes comparing the set of characteristic parameter measurements against a pre-defined range. If the set of characteristic parameter measurements is within the pre-defined range, the electrostatic charge is removed from the substrate and the signal perturbation characteristic of the dechucking event is detected.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'identifier une caractéristique de perturbation de signaux d'un évènement de desserrage à l'intérieur d'une chambre de traitement d'un système de traitement au plasma. Le procédé consiste notamment à exécuter une étape de desserrage à l'intérieur de la chambre de traitement pour évacuer un substrat d'une électrode inférieure, l'étape de desserrage comportant la production de plasma susceptible de produire un courant destiné à neutraliser une charge électrostatique sur le substrat. Le procédé consiste également à employer une tête de sonde pour recueillir un ensemble de mesures paramétriques caractéristiques pendant l'étape de desserrage. La tête de sonde est posée sur une surface de la chambre de traitement, ladite surface étant à proximité étroite d'une surface de substrat. Le procédé consiste en outre à comparer l'ensemble de mesures paramétriques caractéristiques par rapport à une gamme prédéfinie. Si ledit ensemble de mesures paramétriques caractéristiques se trouve dans cette gamme prédéfinie, la charge électrostatique est évacuée du substrat et la caractéristique de perturbation de signaux de l'évènement de desserrage est détectée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)