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1. (WO2010005929) ENSEMBLE SONDE ÉLECTROSTATIQUE À COUPLAGE CAPACITIF (CCE) PASSIVE POUR DÉTECTER DES ÉVÉNEMENTS DE FORMATION D'ARC ÉLECTRIQUE IN SITU DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005929    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049756
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 07.07.2009
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
BOOTH, Jean-Paul [FR/US]; (US) (US Seulement).
KEIL, Douglas, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOOTH, Jean-Paul; (US).
KEIL, Douglas, L.; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A.; P.O. Box 700640 San Jose, CA 95170 (US)
Données relatives à la priorité :
61/078,731 07.07.2008 US
Titre (EN) PASSIVE CAPACITIVELY-COUPLED ELECTROSTATIC (CCE) PROBE ARRANGEMENT FOR DETECTING IN-SITU ARCING EVENTS IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) ENSEMBLE SONDE ÉLECTROSTATIQUE À COUPLAGE CAPACITIF (CCE) PASSIVE POUR DÉTECTER DES ÉVÉNEMENTS DE FORMATION D'ARC ÉLECTRIQUE IN SITU DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)An arrangement for detecting in-situ arcing events within a processing chamber of a plasma processing system during substrate processing is provided. The arrangement includes a probe arrangement, which is disposed on a surface of the processing chamber and is configured to measure at least one plasma processing parameter. The probe arrangement includes a plasma-facing sensor and a measuring capacitor, wherein the plasma-facing sensor is coupled to a first plate of the measuring capacitor. The probe arrangement also includes a detection arrangement that is coupled to a second plate of the measuring capacitor, wherein the detection arrangement is configured for converting an induced current flowing through the measuring capacitor into a set of digital signals, which is processed to detect the in-situ arcing events.
(FR)L'invention concerne un ensemble pour détecter des événements de formation d'arc électrique à l'intérieur d'une chambre de traitement au plasma pendant le traitement d'un substrat. Ledit ensemble comprend un ensemble sonde, qui est disposé sur une surface de la chambre de traitement et qui est conçu pour mesurer au moins un paramètre de traitement au plasma. Ledit ensemble sonde comprend un capteur orienté face au plasma et un condensateur de mesure, le capteur orienté face au plasma étant couplé à une première plaque du condensateur de mesure. Ledit ensemble sonde comprend également un ensemble de détection qui est couplé à une deuxième plaque du condensateur de mesure, l'ensemble de détection étant conçu pour convertir un courant induit passant dans le condensateur de mesure en un ensemble de signaux numériques, qui est traité pour détecter les événements de formation d'arc électrique in situ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)