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1. (WO2010005866) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE

Pub. No.:    WO/2010/005866    International Application No.:    PCT/US2009/049518
Publication Date: 14 janv. 2010 International Filing Date: 2 juil. 2009
IPC: H01L 27/10
H01L 27/102
H01L 21/768
Applicants: SANDISK 3D LLC
PING, Er-xuan
THAKUR, Randhir
SCHEUGRAF, Klaus
Inventors: PING, Er-xuan
THAKUR, Randhir
SCHEUGRAF, Klaus
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abstract:
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend la formation d'un dispositif à semi-conducteur en forme de pilier entouré par une couche isolante (108) de telle manière qu'un trou de contact (111) dans la couche isolante expose une surface supérieure du dispositif à semi-conducteur. Le procédé comprend également la formation d'une couche de masque perforé (302) sur la couche isolante (108) de telle manière qu'une partie de la couche de masque perforé (302) surplombe une partie du trou de contact (111), la formation d'une couche conductrice de telle manière qu'une première partie (304) de la couche conductrice est située sur la surface supérieure du dispositif à semi-conducteur exposée dans le trou de contact et qu'une seconde partie (306) de la couche conductrice est située sur la couche de masque perforé (302), et l'élimination de la couche de masque perforé (302) et de la seconde partie (306) de la couche conductrice.