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1. (WO2010005862) CELLULES DE MÉMOIRE À POINT DE CROISEMENT ET À DIODES PARTAGÉES ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005862    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049502
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 02.07.2009
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard Milpitas, CA 95035-7932 (US) (Tous Sauf US).
SCHEUERLEIN, Roy, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
FASOLI, Luca [IT/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHEUERLEIN, Roy, E.; (US).
FASOLI, Luca; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive, Suite 1000 Reston, VA 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
12/216,678 09.07.2008 US
Titre (EN) CROSS POINT MEMORY CELLS WITH SHARED DIODES AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE À POINT DE CROISEMENT ET À DIODES PARTAGÉES ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A cross point memory cell includes a portion of a first distributed diode, a portion of a second distributed diode, a memory layer located between the portion of the first distributed diode and the portion of a second distributed diode, a bit line electrically connected to the first distributed diode, and a word line electrically connected to the second distributed diode.
(FR)Une cellule de mémoire à point de croisement selon la présente invention comprend une partie d'une première diode distribuée, une partie d'une seconde diode distribuée, une couche de mémoire située entre la partie de la première diode distribuée et la partie de la seconde diode distribuée, une ligne de bits reliée électriquement à la première diode distribuée et une ligne de mots reliée électriquement à la seconde diode distribuée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)