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1. (WO2010005759) AMÉLIORATIONS DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ORGANIQUES VIA L'UTILISATION D'UN OXYDE ÉPAIS POUR RÉGULER UN ÉCOULEMENT D'ENCRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005759    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/047800
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 18.06.2009
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ORGANICID, INC. [US/US]; 422 E Vermijo,Ste. 409 Colorado Springs, CO (US).
DIMMLER, Klaus [US/US]; (US) (US Seulement).
OLARIU, Viorel [RO/US]; (US) (US Seulement).
MOSS, Thomas, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DIMMLER, Klaus; (US).
OLARIU, Viorel; (US).
MOSS, Thomas, S.; (US)
Mandataire : LEUZZI, Paul, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/171,982 11.07.2008 US
Titre (EN) PERFORMANCE IMPROVEMENTS OF OFETS THROUGH USE OF FIELD OXIDE TO CONTROL INK FLOW
(FR) AMÉLIORATIONS DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ORGANIQUES VIA L'UTILISATION D'UN OXYDE ÉPAIS POUR RÉGULER UN ÉCOULEMENT D'ENCRE
Abrégé : front page image
(EN)An OFET includes a thick dielectric layer with openings in the active region of a transistor. After the field dielectric layer is formed, semiconductor ink is dropped in the active region cavities in the field dielectric layer, forming the semiconductor layer. The ink is bounded by the field dielectric layer walls. After the semiconductor layer is annealed, dielectric ink is dropped into the same cavities. As with the semiconductor ink, the field dielectric wall confines the flow of the dielectric ink. The confined flow causes the dielectric ink to pool into the cavity, forming a uniform layer within the cavity, and thereby decreasing the probability of pinhole shorting. After the dielectric is annealed, a gate layer covers the active region thereby completing a high performance OFET structure.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ organique (OFET) comprenant une couche diélectrique épaisse dotée d'ouvertures ménagées dans la région active d'un transistor. Une fois que la couche diélectrique épaisse est formée, une encre semi-conductrice est déposée dans les cavités de la région active de la couche diélectrique épaisse, ce qui forme la couche semi-conductrice. L'encre est fixée par les parois de la couche diélectrique épaisse. Une fois que la couche semi-conductrice a été soumise à un recuit, l'encre diélectrique est déposée dans les mêmes cavités. Comme pour l'encre diélectrique, la paroi diélectrique épaisse confine l'écoulement de l'encre diélectrique. L'écoulement confiné entraîne l'accumulation de l'encre diélectrique dans la cavité, ce qui forme une couche uniforme à l'intérieur de cette dernière, et donc empêche la mise en court-circuit éventuel de trous d'épingle. Après soumission du diélectrique à un recuit, une couche de grille recouvre la région active, ce qui permet de réaliser une structure OFET à performances élevées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)