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1. (WO2010005670) PROCÉDÉS DE FORMATION D’UNE PLURALITÉ DE CONDENSATEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005670    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/046946
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 10.06.2009
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
FISHBURN, Fred, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FISHBURN, Fred, D.; (US)
Mandataire : MATKIN, Mark S.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/170,307 09.07.2008 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING A PLURALITY OF CAPACITORS
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION D’UNE PLURALITÉ DE CONDENSATEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a plurality of capacitors includes forming a plurality of individual capacitor electrodes using two masking steps. An earlier of the two masking steps is used to form an array of first openings over a plurality of storage node contacts. A later of the two masking steps is used to form an array of second openings received partially over and partially offset from the array of first openings. Overlapping portions of the first and second openings are received over the storage node contacts. After both of the two masking steps, conductive material of the individual capacitor electrodes is deposited into the overlapping portions of each of the first and second openings. The individual capacitor electrodes are incorporated into a plurality of capacitors. Other aspects and implementations are contemplated.
(FR)Un procédé de formation d’une pluralité de condensateurs comprend la formation d’une pluralité d’électrodes de condensateur individuelles utilisant deux étapes de masquage. La première des deux étapes de masquage est utilisée pour former un réseau de premières ouvertures sur une pluralité de contacts de nœud de stockage. La deuxième étape des deux étapes de masque est utilisée pour former un réseau de secondes ouvertures reçues partiellement sur et partiellement hors du réseau de premières ouvertures. Les portions chevauchantes des premières et secondes ouvertures sont reçues sur les contacts de nœud de stockage. Après les deux étapes de masquage, un matériau conducteur des électrodes de condensateur individuelles est déposé dans les parties chevauchantes de chacune des premières et secondes ouvertures. Les électrodes de condensateur individuelles sont incorporées dans une pluralité de condensateurs. D’autres aspects et mises en œuvre sont envisagés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)