WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010005573) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRODUCTION D’UNE PILE SOLAIRE UTILISANT LE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR PLASMA À LA PRESSION ATMOSPHÉRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005573    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/004003
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 08.07.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : TU, Chan, Albert [US/US]; (US)
Inventeurs : TU, Chan, Albert; (US)
Mandataire : FAILING, Bryan, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/079,021 08.07.2008 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING A SOLAR CELL USING ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRODUCTION D’UNE PILE SOLAIRE UTILISANT LE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR PLASMA À LA PRESSION ATMOSPHÉRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A process and system for producing a thin-film solar cell using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition is disclosed. A plasma at substantially atmospheric pressure is used to deposit P-type layers, intrinsic layers and N-type layers to form one or more P-N junctions for use in a solar cell. The surface onto which a P-N junction is deposited may be prepared or cleaned using the plasma at substantially atmospheric pressure. Alternatively, the plasma at substantially atmospheric pressure may be used to deposit other layers of the solar cell such as conductive layers in contact with a P-N junction.
(FR)L’invention concerne un procédé et un système de production d’une pile solaire à film mince utilisant le dépôt chimique en phase vapeur par plasma à la pression atmosphérique. Un plasma à la pression sensiblement atmosphérique est utilisé pour déposer des couches de type P, de couches intrinsèques et des couches de type N pour former une ou plusieurs jonctions P-N à utiliser dans une pile solaire. La surface sur laquelle est déposée une fonction P-N peut être préparée ou nettoyée à l’aide du plasma à la pression sensiblement atmosphérique. En variante, le plasma à la pression sensiblement atmosphérique peut être utilisé pour déposer d’autres couches de la pile solaire telles que des couches conductrices en contact avec une jonction P-N.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)