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1. (WO2010005554) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MTJ AVEC TRACE DE SHUNT ESD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005554    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/003973
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 07.07.2009
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : MAGIC TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 463-468 South Milpitas Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
GUO, Yimin [US/US]; (US) (US Seulement).
GORMAN, Grace [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GUO, Yimin; (US).
GORMAN, Grace; (US)
Mandataire : ACkERMAN, Stephen, B.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/217,629 08.07.2008 US
Titre (EN) MTJ BASED MAGNETIC FIELD SENSOR WITH ESD SHUNT TRACE
(FR) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MTJ AVEC TRACE DE SHUNT ESD
Abrégé : front page image
(EN)Presented herein is a shunted MTJ sensor formed of a plurality of electrically connected MTJ cells for measuring magnetic fields and currents and its method of fabrication. To provide stable single domain magnetic moments of the MTJ cells and to ensure that the magnetic moments return to a fixed bias point in the absence of external magnetic fields, the cells are formed of sufficiently small size and with elliptical cross-section of aspect ratio greater than 1.2. To eliminate the possibility of ESD damage to the cells, they are protected by a parallel shunt, formed as a trace of sufficiently high resistance that directs accumulated charges harmlessly to ground while bypassing the cells.
(FR)L’invention concerne un capteur MTJ shunté formé d’une pluralité de cellules MTJ électriquement connectées pour mesurer des champs magnétiques et courants et son procédé de fabrication. Pour fournir des moments magnétiques de domaine unistable des cellules MTJ et pour garantir que les moments magnétiques retournent à un point de polarisation fixe en l’absence de champs magnétiques externes, les cellules sont formées d’une taille suffisamment petite et avec une coupe elliptique de rapport de côté supérieur à 1,2. Pour éliminer la possibilité d’un endommagement ESD des cellules, elles sont protégées par un shunt parallèle, formé comme une trace de résistance suffisamment élevée qui dirige les charges accumulées vers la terre sans danger tout en contournant les cellules.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)