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1. (WO2010005380) DISPOSITIF À MÉMOIRE NANOSTRUCTURÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005380    N° de la demande internationale :    PCT/SE2009/050857
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 02.07.2009
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : QUNANO AB [SE/SE]; Ideon Science Park Scheelevägen 17 S-223 70 Lund (SE) (Tous Sauf US).
SAMUELSON, Lars [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
THELANDER, Claes [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
OHLSSON, Jonas [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
MIKKELSEN, Anders [DK/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : SAMUELSON, Lars; (SE).
THELANDER, Claes; (SE).
OHLSSON, Jonas; (SE).
MIKKELSEN, Anders; (SE)
Mandataire : BRANN AB; Box 17192 S-104 62 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0801648-7 09.07.2008 SE
Titre (EN) NANOSTRUCTURED MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE NANOSTRUCTURÉ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a nanostructured memory device comprising at least one semiconductor nanowire (3) forming a current transport channel, one or more shell layers (4) arranged around at least a portion of the nanowire (3), and nano-sized charge trapping centres (10) embedded in said one or more shell layers (4), and one or more gate electrodes (14) arranged around at least a respective portion of said one or more shell layers (4). Preferably said one or more shell layers (4) are made of a wide band gap material or an insulator. The charge trapping centres (10) may be charged /written by using said one or more gate electrodes (14) and a change in an amount of charge stored in one or more of the charge trapping centres (10) alters the conductivity of the nanowire (3).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à mémoire nanostructuré comprenant au moins un nanofil semi-conducteur (3) formant un canal de transport de courant, une ou plusieurs couches de gaine (4) disposées autour d’au moins une partie du nanofil (3), des centres de piégeage de charge de taille nanométrique (10) inclus dans ladite ou lesdites couches de gaine (4), et une ou plusieurs électrodes de grille (14) disposées autour d’au moins une partie respective de ladite ou desdites couches de gaine (4). De préférence, ladite ou lesdites couches de gaine (4) sont faites d’un matériau à largeur de bande interdite ou d’un isolant. Les centres de piégeage de charge (10) peuvent être chargés/écrits par l’utilisation de ladite ou desdites électrodes de grille (14) et un changement d’une quantité de charge stockée dans un ou plusieurs centres de piégeage de charge (10) modifie la conductivité du nanofil (3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)