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1. (WO2010005024) DISPOSITIF CTP ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE CONTENANT CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/005024    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062442
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 08.07.2009
CIB :
H01C 7/02 (2006.01), H01M 2/34 (2006.01)
Déposants : TYCO ELECTRONICS JAPAN G.K. [JP/JP]; 5-8, Hisamoto 3-chome, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2138535 (JP) (Tous Sauf US).
KOYAMA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOYAMA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-180156 10.07.2008 JP
Titre (EN) PTC DEVICE AND ELECTRIC DEVICE CONTAINING SAME
(FR) DISPOSITIF CTP ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE CONTENANT CE DERNIER
(JA) PTCデバイスおよびそれを有する電気装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a PTC device in which deterioration of the reliability of a PTC element is restrained as much as possible. Said PTC device is comprised of a PTC element (14), which is comprised of a laminar PTC element and metal electrodes provided on either side thereof, and a retaining metal layer retaining insulation layer (12), which is comprised of an insulation layer (16) and a metal layer (18) provided on one of the primary surfaces of the insulation layer, wherein one of the metal electrodes of the PTC element is provided on the metal layer to electrically connect them together.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif CTP (coefficient de température positif) dans lequel la détérioration de la fiabilité d’un CTP est restreinte autant que possible. Ledit dispositif CTP est constitué d’un élément CTP (14), qui est lui-même constitué d’un élément CTP laminaire et d’électrodes métalliques disposées de chaque côté de celui-ci, et d’une couche métallique de retenue retenant une couche isolante (12), qui est elle-même constituée d’une couche isolante (16) et d’une couche métallique (18) disposée sur l’une des surfaces principales de la couche isolante, l’une des électrodes métallique de l’élément CTP étant disposée sur la couche métallique de manière à les connecter électriquement.
(JA) PTC素子の信頼性の低下を可及的に抑制したPTCデバイスを提供する。  そのようなPTCデバイスは、  層状PTC要素およびその両側に配置された金属電極を有して成るPTC素子(14)、ならびに  絶縁層(16)およびその一方の主表面に配置された金属層(18)を有して成る保持金属層保持絶縁層(12)であって、金属層上にPTC素子の一方の金属電極が配置されてこれらが電気的に接続されている、保持金属層保持絶縁層 を有して成る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)