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1. (WO2010004979) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004979    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062345
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 07.07.2009
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
HATA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAGAWA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HATA, Mitsuhiro; (JP).
YAMAMOTO, Satoshi; (JP).
MIYAGAWA, Takayuki; (JP)
Mandataire : SHINJYU GLOBAL IP; South Forest Bldg., 1-4-19, Minamimori-machi, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-180050 10.07.2008 JP
Titre (EN) METHOD OF RESIST TREATMENT
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE RÉSERVE
(JA) レジスト処理方法
Abrégé : front page image
(EN)A method of resist treatment is provided in which an ultrafine pattern having satisfactory precision is formed from a resist composition for the first resist pattern formation in a multi-patterning method such as a double patterning method.  The method of resist treatment comprises the steps of: applying a first resist composition comprising a resin (A) which has a group unstable to acids, is insoluble or sparingly soluble in aqueous alkali solutions, and becomes soluble by the action with an acid, a photo-acid generator (B), and a crosslinking agent (C) to a substrate and drying the composition to obtain a first resist film; prebaking the film; exposing the whole surface of the prebaked film to light; thereafter exposing the film to light through a mask; subjecting the film to post-exposure bake; developing the baked film to obtain a first resist pattern; subjecting the pattern to hard bake; applying a second resist composition to the hard-baked pattern; drying the second composition to obtain a second resist film; and subjecting the second resist film to pre-bake, light exposure, post-exposure bake, and then development to obtain a second resist pattern.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement de réserve dans lequel un motif ultrafin ayant une précision satisfaisante est formé à partir d'une composition de réserve pour former un premier motif de réserve dans un procédé de formations de multiples motifs, tel qu'un procédé de formation de motif double. Le procédé de traitement de réserve consiste : à appliquer, à un substrat, une première composition de réserve comprenant une résine (A) qui a un groupe instable en milieux acides, qui est insoluble ou faiblement soluble dans des solutions alcalines aqueuses, et qui devient soluble par l'action d'un acide, un générateur de photo-acide (B) et un agent réticulant (C), et à sécher la composition pour obtenir un premier film de réserve ; à précuire le film ; à exposer à la lumière toute la surface du film précuit ; puis à exposer le film à la lumière à travers un masque ; à soumettre le film à une cuisson post-exposition ; à développer le film cuit pour obtenir un premier motif de réserve ; à soumettre le motif à une cuisson dure ; à appliquer une seconde composition de réserve au motif cuit sec ; à sécher la seconde composition pour obtenir un second film de réserve, et à soumettre le second film de réserve à une précuisson, à une exposition à la lumière, à une cuisson de post-exposition, puis à un développement pour obtenir un second motif de réserve.
(JA)ダブルパターニング法等のマルチパターニング法において、1回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供することを目的とする。本発明は、酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶・難溶、酸と作用した後可溶となる樹脂(A)、光酸発生剤(B)及び架橋剤(C)を含む第1のレジスト組成物を基体上に塗布・乾燥して第1のレジスト膜を得、これをプリベークし、全面露光処理した後に、マスクを介して露光処理し、ポストエクスポージャベークし、現像して第1のレジストパターンを得、これをハードベークし、この上に第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第2のレジスト膜を得、これをプリベークし、露光処理し、ポストエクスポージャベークし、現像して第2のレジストパターンを得る工程を含むレジスト処理方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)