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1. (WO2010004964) SUBSTRAT DE CRISTAL DE GAN, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE CRISTAL DE GAN, SUBSTRAT DE CRISTAL DE GAN POURVU D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004964    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062310
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 06.07.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 25/04 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
OSADA, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIYAMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORII, Taku [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUMIYOSHI, Kazuhide [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OSADA, Hideki; (JP).
NAKAHATA, Seiji; (JP).
KIYAMA, Makoto; (JP).
HORII, Taku; (JP).
SUMIYOSHI, Kazuhide; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-177090 07.07.2008 JP
2009-153646 29.06.2009 JP
Titre (EN) GAN CRYSTAL SUBSTRATE, GAN CRYSTAL SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, GAN CRYSTAL SUBSTRATE PROVIDED WITH SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT DE CRISTAL DE GAN, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE CRISTAL DE GAN, SUBSTRAT DE CRISTAL DE GAN POURVU D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) GaN結晶基板およびその製造方法、半導体エピタキシャル層付GaN結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A GaN crystal substrate (20p) has a main surface (20m) having an off angle of 0° or more but not more than 30° to a (0001) plane, and includes a low dislocation density crystal region (20k) and a high dislocation density crystal region (20h).  The high dislocation density crystal region (20h) on the main surface (20m) has a shape of a lattice which includes a plurality of first stripe crystal regions (20hs) extending in a [1-100] direction, and a plurality of second stripe crystal regions (20ht) extending in a[11-20] direction.  Thus, the GaN crystal substrate, which has large effects of collecting displacements and low dislocation density in a low dislocation density crystal region even with a large pitch of the high dislocation density crystal region and has a small warpage, is provided.
(FR)Selon l’invention, un substrat de cristal de GaN (20p) présente une surface principale (20m) ayant un écart angulaire de 0° ou plus, mais de pas plus de 30° par rapport à un plan (0001), et comprend une région cristalline à faible densité de dislocations (20k) et une région cristalline à densité de dislocations élevée (20h). La région cristalline à densité de dislocations élevée (20h) sur la surface principale (20m) est en forme de réseau qui comprend une pluralité de premières régions cristallines à bandes (20hs) s'étendant dans une direction [1-100], et une pluralité de secondes régions cristallines à bandes (20ht) s'étendant dans une direction [11-20]. Ainsi, le substrat de cristal de GaN, qui a des effets importants de rassemblement de déplacements et une faible densité de dislocations dans une région cristalline à faible densité de dislocations, même avec un large pas de la région cristalline de densité de dislocations élevée, et qui présente un faible gauchissement est décrit.
(JA) 本GaN結晶基板(20p)は、(0001)面に対して0°以上30°以下のオフ角を有する主面(20m)を有し、低転位密度結晶領域(20k)と高転位密度結晶領域(20h)とを含み、主面(20m)における高転位密度結晶領域(20h)の形状は、[1-100]方向に伸びる複数の第1ストライプ結晶領域(20hs)と[11-20]方向に伸びる複数の第2ストライプ結晶領域(20ht)とを含む格子状である。これにより、高転位密度結晶領域のピッチが大きくても転位を集める効果が大きく低転位密度結晶領域の転位密度が低く、反りが小さいGaN結晶基板が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)