WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010004863) TRANCHE DE SILICIUM HYBRIDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004863    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061354
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 23.06.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.11.2009    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), C04B 37/00 (2006.01)
Déposants : JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (Tous Sauf US).
SATOH Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIDO Yoshimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATOH Kazuyuki; (JP).
KOIDO Yoshimasa; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 3-1-10 Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-179988 10.07.2008 JP
Titre (EN) HYBRID SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANCHE DE SILICIUM HYBRIDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a hybrid silicon wafer characterized in having a structure wherein a single crystal wafer is embedded in a polycrystalline sintered silicon wafer. Also disclosed is a method for manufacturing the hybrid silicon wafer having the structure wherein the single crystal wafer is embedded in the polycrystalline sintered wafer. In the method, a part of the polycrystalline sintered silicon is hollowed, a single crystal ingot is inserted into the hollowed section, and the hollowed section and the single crystal ingot are bonded to each other by thermal diffusion bonding by HIP so as to manufacture a composite body of the polycrystalline sintered silicon and the single crystal silicon ingot, then, the composite body is sliced. Thus, the hybrid silicon wafer provided with functions of the polycrystalline silicon wafer and those of the single crystal wafer, and the method for manufacturing such hybrid silicon wafer are provided.
(FR)La présente invention a trait à une tranche de silicium hybride caractérisée en ce qu'elle est dotée d'une structure dans laquelle une tranche monocristalline est incluse dans une tranche de silicium frittée polycristalline. La présente invention a également trait à un procédé de fabrication de la tranche de silicium hybride dotée de la structure dans laquelle la tranche monocristalline est incluse dans la tranche frittée polycristalline. Selon le procédé, une partie du silicium fritté polycristallin est creuse, un lingot monocristallin est inséré dans la partie creuse et la partie creuse ainsi que le lingot monocristallin sont liés l'un à l'autre au moyen d'une liaison par diffusion thermique réalisée par HIP, de manière à fabriquer un corps composite du silicium fritté polycristallin et du lingot de silicium monocristallin, puis le corps composite est tranché. Par conséquent, il est possible d'obtenir la tranche de silicium hybride dotée des fonctions de la tranche de silicium polycristalline et de celles de la tranche monocristalline, ainsi que le procédé de fabrication de ladite tranche de silicium hybride.
(JA)シリコンウエハであって、多結晶の焼結シリコンウエハの中に単結晶ウエハが埋め込まれた構造を備えていることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。多結晶焼結シリコンの一部をくり抜き、このくり抜いた部分に単結晶インゴットを挿入し、これらをHIPにより相互に加熱拡散接合して、多結晶の焼結シリコンと単結晶シリコンインゴットの複合体を作製し、この複合体をスライスして多結晶の焼結シリコンウエハの中に単結晶ウエハが埋め込まれた構造を有するハイブリッドシリコンウエハの製造方法。多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能を備えたハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法を提供することを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)