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1. (WO2010004862) OBJET FRITTÉ À BASE D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION COMPRENANT L'OBJET FRITTÉ, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE L'OBJET FRITTÉ, ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE CIBLE DE PULVÉRISATION COMPRENANT L'OBJET FRITTÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004862    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061353
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 23.06.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.12.2009    
CIB :
C04B 35/00 (2006.01), C04B 35/50 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (Tous Sauf US).
SATOH Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOIDO Yoshimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATOH Kazuyuki; (JP).
KOIDO Yoshimasa; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 3-1-10 Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-176461 07.07.2008 JP
Titre (EN) OXIDE SINTERED OBJECT, SPUTTERING TARGET COMPRISING THE SINTERED OBJECT, PROCESS FOR PRODUCING THE SINTERED OBJECT, AND PROCESS FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET COMPRISING THE SINTERED OBJECT
(FR) OBJET FRITTÉ À BASE D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION COMPRENANT L'OBJET FRITTÉ, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE L'OBJET FRITTÉ, ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE CIBLE DE PULVÉRISATION COMPRENANT L'OBJET FRITTÉ
(JA) 酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、同焼結体の製造方法及び同焼結体スパッタリングターゲットゲートの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An oxide sintered object which comprises a composite oxide of lanthanum and hafnium, characterized in that the amount of the hafnium contained in the sintered object is equivalent to or larger than that of the lanthanum.  A process for producing a sintered object of an oxide of lanthanum and hafnium is provided which is characterized by using an La2(CO3)3 powder and an HfO2 powder as raw-material powders, mixing the powders so that the Hf/La molar ratio becomes 1-1.2, thereafter heating the powder mixture in the air to conduct synthesis, subsequently pulverizing the synthesized material into a powder, and then hot-pressing the synthesis powder to form a sintered object.  Lanthanum metal combines rapidly with oxygen and disintegrates, while lanthanum oxide combines with water to form the hydroxide and changes to a powder.  Both lanthanum metal and lanthanum oxide have hence had a problem that long-term storage is difficult and a sputtering target, even when produced, cannot be actually used.  In view of this, the stable lanthanum-containing oxide sintered object comprising an oxide of lanthanum (La) and hafnium (Hf) is provided.  A lanthanum-containing oxide sputtering target especially suitable for use in forming a high-k gate insulating film is provided.
(FR)L'invention concerne un objet fritté à base d'oxyde qui comprend un oxyde composite de lanthane et d'hafnium, caractérisé en ce que la quantité d'hafnium contenue dans l'objet fritté est équivalente ou supérieure à la quantité de lanthane. L'invention concerne un procédé de production d'un objet fritté fait d'un oxyde de lanthane et d'hafnium qui se caractérise par l'utilisation d'une poudre de La2(CO3)3 et d'une poudre de HfO2 comme matières premières en poudre, le mélange des poudres pour que le rapport molaire Hf/La atteigne 1-1,2, puis le chauffage du mélange de poudres dans l'air pour effectuer la synthèse, et ensuite la pulvérisation du matériau synthétisé en une poudre, et enfin le pressage à chaud de la poudre de synthèse pour former un objet fritté. Le lanthane métallique se combine rapidement avec l'oxygène et se désintègre, tandis que l'oxyde de lanthane se combine avec l'eau pour former un hydroxyde et se transforme en une poudre. Le lanthane métallique et l'oxyde de lanthane présentent par conséquent un problème de stockage difficile à long terme, et une cible de pulvérisation, même si elle est produite, ne peut être effectivement utilisée. Dans ce contexte, l'invention concerne un objet fritté à base d'oxyde stable contenant du lanthane comprenant un oxyde de lanthane (La) et d'hafnium (Hf). Elle concerne également une cible de pulvérisation en oxyde contenant du lanthane particulièrement appropriée à une utilisation dans la formation d'un film isolant de grille à constante k élevée.
(JA)ランタンとハフニウムとの複合酸化物からなる焼結体であって、焼結体に含まれるハフニウムがランタンに対して当量以上含まれることを特徴とする酸化物焼結体。原料粉末として、La(CO粉末とHfO粉末を使用し、HfとLaの組成モル比が1~1.2になるように配合し混合した後、この混合粉末を大気中で加熱合成し、次にこの合成材料を粉砕して粉末とした後、この合成粉末をホットプレスして焼結体とすることを特徴とするランタンとハフニウムの酸化物焼結体の製造方法。金属ランタンは酸素と急速に結合して崩壊し、また酸化ランタンは水分と結合して水酸化物を形成し粉状に変化するため、いずれも長期間の保管が難しく、スパッタリングターゲットを作製しても、実際に使用することができないという問題があった。この点に鑑み、ランタン(La)とハフニウム(Hf)の酸化物からなる安定したLa含有酸化物焼結体を提供するものであり、特にHigh-kゲート絶縁膜形成に好適なLa含有酸化物スパッタリングターゲットを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)