WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010004836) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004836    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/060916
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 16.06.2009
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMOTO, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIKATA, Masafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAI, Kazuto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMOTO, Naoki; (JP).
KATO, Kazuyuki; (JP).
SHIKATA, Masafumi; (JP).
TAKAI, Kazuto; (JP)
Mandataire : ITOH, Hidehiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-178863 09.07.2008 JP
2008-178864 09.07.2008 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)The plasma treatment device (11) is equipped with a treatment vessel (12) in which a plasma treatment is applied to a substrate to be treated (W), a holder (14) that is provided inside the treatment vessel (12) and holds the substrate to be treated (W) thereon, a dielectric plate (16) that is provided at a position facing the holder (14) and introduces a microwave into the treatment vessel (12), and a reaction gas supply part (13) for supplying a plasma treatment reaction gas toward the center region of the substrate to be treated (W) that is held by the holder (14). Here, the reaction gas supply part (13) includes an injector base (61) that is provided at a position retreated toward the inner side of the dielectric plate (16) from the bottom surface (63), that is, the surface facing the holder (14), of the dielectric plate (16). The injector base (61) is provided with a feed hole (66) for supplying the plasma treatment reaction gas into the treatment vessel (12).
(FR)L'invention porte sur un dispositif de traitement par plasma (11) qui est équipé d'une cuve de traitement (12) dans laquelle un traitement par plasma est appliqué à un substrat devant être traité (W), d'un support (14) qui est installé à l'intérieur de la cuve de traitement (12) et tient le substrat devant être traité (W) sur lui, d'une plaque diélectrique (16) qui est installée en une position faisant face au support (14) et introduit des hyperfréquences dans la cuve de traitement (12), et d'une partie alimentation en gaz de réaction (13) pour amener un gaz de réaction de traitement par plasma vers la région centrale du substrat devant être traité (W) qui est tenu par le support (14). Dans ce cas, la partie alimentation en gaz de réaction (13) comprend une base d'injecteur (61) qui est installée en une position en retrait vers le côté interne de la plaque diélectrique (16) par rapport à la surface inférieure (63), c'est-à-dire la surface faisant face au support (14), de la plaque diélectrique (16). La base d'injecteur (61) comprend un trou d'alimentation (66) pour ramener le gaz de réaction de traitement par plasma dans la cuve de traitement (12).
(JA) プラズマ処理装置11は、その内部で被処理基板Wにプラズマ処理を行う処理容器12と、処理容器12内に配置され、その上に被処理基板Wを保持する保持台14と、保持台14と対向する位置に設けられ、マイクロ波を処理容器12内に導入する誘電体板16と、保持台14に保持された被処理基板Wの中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部13とを備える。ここで、反応ガス供給部13は、保持台14と対向する対向面となる誘電体板16の下面63よりも誘電体板16の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベース61を含む。インジェクターベース61には、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器12内に供給する供給孔66が設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)