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1. (WO2010004715) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/004715    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003111
Date de publication : 14.01.2010 Date de dépôt international : 03.07.2009
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
UCHIDA, Masao; (US Seulement).
HAYASHI, Masashi; (US Seulement).
HASHIMOTO, Koichi; (US Seulement)
Inventeurs : UCHIDA, Masao; .
HAYASHI, Masashi; .
HASHIMOTO, Koichi;
Mandataire : OKUDA, Seiji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-178810 09.07.2008 JP
2008-323682 19.12.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor element is provided with a semiconductor layer (10) containing silicon carbide formed on a substrate, a semiconductor region (15) of a first conductivity type which is formed on the surface of the semiconductor layer (10), a semiconductor region (14) of a second conductivity type which surrounds the first conductive semiconductor region (15) in a semiconductor layer surface (10s), and a conductor (19) which has a conductive surface (19s) in contact with the semiconductor region (15) of a first conductivity type and the semiconductor region (14) of a second conductivity type. In the semiconductor layer surface (10s), the first conductive semiconductor region (15) has at least one of first band-shaped sections (60, 61) which extend along a first axis (i). The width (C1) of the first conductive semiconductor region (15) along the first axis (i) is larger than the width (A1) of the conductive surface (19s) along the first axis (i). The contour of the conductive surface (19s) crosses at least one of the first band-shaped sections (60, 61).
(FR)L'invention porte sur un élément à semi-conducteurs qui comprend une couche semi-conductrice (10) contenant du carbure de silicium formée sur un substrat, une première région semi-conductrice conductrice (15) qui est formée sur la surface de la couche semi-conductrice (10), une seconde région semi-conductrice conductrice (14) qui entoure la première région semi-conductrice conductrice (15) dans une surface (10s) de la couche semi-conductrice, et un conducteur (19) qui présente une surface conductrice (19s) en contact avec la première région semi-conductrice conductrice (15) et la seconde région semi-conductrice conductrice (14). Dans la surface de couche semi-conductrice (10s), la première région semi-conductrice conductrice (15) comprend au moins une de plusieurs premières sections en forme de bande (60, 61) qui s'étendent suivant un premier axe (i). La largeur (C1) le long du premier axe (i) de la première région semi-conductrice conductrice (15) est plus grande que la largeur (A1) le long du premier axe (i) de la surface conductrice (19s). Le contour de la surface conductrice (19s) croise au moins une des premières sections en forme de bande (60, 61).
(JA) 半導体素子は、基板上に形成された炭化珪素を含む半導体層10と、半導体層10の表面に形成された第1導電型半導体領域15と、半導体層表面10sにおいて、第1導電型半導体領域15を包囲する第2導電型半導体領域14と、第1導電型半導体領域15および第2導電型半導体領域14に接触する導電面19sを有する導電体19とを備え、半導体層表面10sにおいて、第1導電型半導体領域15は、第1の軸iに沿って延びる少なくとも1つの第1の帯状部分60、61を有しており、第1導電型半導体領域15の第1の軸iに沿った幅C1は、導電面19sの第1の軸iに沿った幅A1よりも大きく、導電面19sの輪郭は、少なくとも1つの第1の帯状部分60、61を横切っている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)